Study on crystal growth and dislocation control for wide band optical sensing devices

宽带光学传感器件晶体生长与位错控制研究

• 批准号: 16K06305
• 负责人: Arai Masakazu
• 金额: $ 3万
• 依托单位: University of Miyazaki
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06305/
• 关键词: 電子デバイス; レーザ; 中赤外波長; センシング; 結晶成長; 光センシング; 半導体

项目成果

MOVPE Growth of AlGaInP Distributed Bragg Reflector on GaAs (311)B for Resonant Cavity Photovoltaic Receiver for Laser Light

用于激光谐振腔光伏接收器的 GaAs (311)B 上的 AlGaInP 分布式布拉格反射器的 MOVPE 生长

• 发表时间: 2018
• 作者: Masakazu Arai;Shinnosuke Tsuboyama;Kensuke Hiwada;Masaya Kamikado;Ryosuke Wakaki;and Koji Maeda
• 通讯作者: and Koji Maeda

中赤外発光受光素子用III-V(Sb)系材料の結晶成長と評価

用于中红外光发射和接收器件的 III-V(Sb) 基材料的晶体生长和评估

• 发表时间: 2017
• 期刊: レーザー研究
• 作者: 荒井昌和，高橋翔;井上裕貴;藤原由生,吉元圭太，山形勇也，西岡賢祐,前田幸治
• 通讯作者: 藤原由生,吉元圭太，山形勇也，西岡賢祐,前田幸治

MOVPE Growth of Lattice Matched InAs/GaAsSb Superlattice on InAs Substrate for Mid-Infrared Sensing Devices

用于中红外传感器件的 InAs 衬底上晶格匹配 InAs/GaAsSb 超晶格的 MOVPE 生长

• 发表时间: 2017
• 作者: Kakeru Takahashi;Yuki Fujiwara;Yuya Yamagata;Keita Yoshimoto;Yuki Inoue;Ryosuke Wakaki;Koji Maeda;Masakazu Arai
• 通讯作者: Masakazu Arai

Emission Spectrum Evaluation of 0.8 - 1.1 µm Range Chirped Multiple Quantum Wells for Optical Sensing

发射光谱评估0.8 - 1.1

• 发表时间: 2017
• 作者: Masaya Kamikado;Yuga Imamura and Masakazu Arai
• 通讯作者: Yuga Imamura and Masakazu Arai

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