Study on crystal growth and dislocation control for wide band optical sensing devices
Study on crystal growth and dislocation control for wide band optical sensing devices
宽带光学传感器件晶体生长与位错控制研究
批准号：
16K06305
负责人：
Arai Masakazu
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
MOVPE Growth of AlGaInP Distributed Bragg Reflector on GaAs (311)B for Resonant Cavity Photovoltaic Receiver for Laser Light
用于激光谐振腔光伏接收器的 GaAs (311)B 上的 AlGaInP 分布式布拉格反射器的 MOVPE 生长
用于激光谐振腔光伏接收器的 GaAs (311)B 上的 AlGaInP 分布式布拉格反射器的 MOVPE 生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masakazu Arai, Shinnosuke Tsuboyama, Kensuke Hiwada, Masaya Kamikado, Ryosuke Wakaki, and Koji Maeda]
通讯作者：
and Koji Maeda
中赤外発光受光素子用III-V(Sb)系材料の結晶成長と評価
用于中红外光发射和接收器件的 III-V(Sb) 基材料的晶体生长和评估
用于中红外光发射和接收器件的 III-V(Sb) 基材料的晶体生长和评估
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
レーザー研究
影响因子：
--
作者：
[荒井昌和，高橋翔, 井上裕貴, 藤原由生,吉元圭太，山形勇也，西岡賢祐,前田幸治]
通讯作者：
藤原由生,吉元圭太，山形勇也，西岡賢祐,前田幸治
MOVPE Growth of Lattice Matched InAs/GaAsSb Superlattice on InAs Substrate for Mid-Infrared Sensing Devices
用于中红外传感器件的 InAs 衬底上晶格匹配 InAs/GaAsSb 超晶格的 MOVPE 生长
用于中红外传感器件的 InAs 衬底上晶格匹配 InAs/GaAsSb 超晶格的 MOVPE 生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kakeru Takahashi, Yuki Fujiwara, Yuya Yamagata, Keita Yoshimoto, Yuki Inoue, Ryosuke Wakaki, Koji Maeda, Masakazu Arai]
通讯作者：
Masakazu Arai
Emission Spectrum Evaluation of 0.8 - 1.1 µm Range Chirped Multiple Quantum Wells for Optical Sensing
发射光谱评估0.8 - 1.1
发射光谱评估0.8 - 1.1
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masaya Kamikado, Yuga Imamura and Masakazu Arai]
通讯作者：
Yuga Imamura and Masakazu Arai
宮崎大学 工学部 荒井研究室 ウェブサイト
宫崎大学工学部新井实验室网站
宫崎大学工学部新井实验室网站
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 16 条
Crystal growth of group III-V and group IV for mid-infrared silicon photonics
-
批准号：19K04515
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$2.75万
-
财政年份：2019
-
负责人：Arai Masakazu
-
依托单位：
海外基金