Crystal growth of group III-V and group IV for mid-infrared silicon photonics
Crystal growth of group III-V and group IV for mid-infrared silicon photonics
批准号:
19K04515
负责人:
Arai Masakazu
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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SIMS、XRD を用いた InAs/GaSb 超格子中の As 濃度推定
使用 SIMS 和 XRD 估算 InAs/GaSb 超晶格中的 As 浓度
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[今村優希, 中川翔太, 大濱寛士, 前田幸治, 荒井昌和]
通讯作者:
荒井昌和
Growth and PL Measurement of Metamorphic InAs and InAs/GaSb Superlattice using MOVPE for Mid-Infrared Photonic Devices
使用 MOVPE 进行中红外光子器件变质 InAs 和 InAs/GaSb 超晶格的生长和 PL 测量
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[D. Kaneko, M. Sasaki, T. Ohtsu, S. Yamada, H. San, T. Matuura and M. Hotta, Masakazu Arai,Yuki Imamura,Takeshi Fujisawa,Koji Maeda, Yuki Imamura,Miki Shoiriki,Tomohito Ohama,Koji Maeda,Masakazu Arai]
通讯作者:
Yuki Imamura,Miki Shoiriki,Tomohito Ohama,Koji Maeda,Masakazu Arai
MOVPE growth and evaluation of mid-infrared range superlattice
中红外范围超晶格的MOVPE生长和评估
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[D. Kaneko, M. Sasaki, T. Ohtsu, S. Yamada, H. San, T. Matuura and M. Hotta, Masakazu Arai,Yuki Imamura,Takeshi Fujisawa,Koji Maeda]
通讯作者:
Masakazu Arai,Yuki Imamura,Takeshi Fujisawa,Koji Maeda
GaAs基板上メタモルフィックInAsSbへの熱アニールによる 結晶性への影響評価
GaAs衬底上变质InAsSb热退火对结晶度影响的评价
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Suzune Ito, Emi Matsuda, Takashi Hikage,Tomoaki Nagaoka, Soichi Watanabe, 中川翔太,本部好記,岩切優人,前田幸治,荒井昌和]
通讯作者:
中川翔太,本部好記,岩切優人,前田幸治,荒井昌和
MOVPE法によりGaAs基板上に成長したZnドープInAs膜の ラマン分光法による評価
使用拉曼光谱评估通过 MOVPE 方法在 GaAs 衬底上生长的 Zn 掺杂 InAs 薄膜
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[森 健太, 嘉山 永樹, 前防 太智, 陳 遠馳, 傘 昊, 松浦 達治, 堀田 正生, 平田 康史,中川 翔太,荒井 昌和,前田 幸治]
通讯作者:
平田 康史,中川 翔太,荒井 昌和,前田 幸治
共 16 条
Study on crystal growth and dislocation control for wide band optical sensing devices
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批准号:16K06305
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2016
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负责人:Arai Masakazu
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依托单位:
海外基金