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Development of large-scale first-principles spin-transport simulator and design of interface for high performance devices
大规模第一性原理自旋输运模拟器开发及高性能器件接口设计
基本信息
- 批准号：16H03865
- 负责人：
- 金额：$ 9.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
DFT study on structure and anisotropy of high N-atom density layer in 4H-SiC
4H-SiC高氮原子密度层结构及各向异性的DFT研究
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Naoki Komatsu;Yoshiyuki Egami;Tomoya Ono;Mitsuharu Uemoto
- 通讯作者：Mitsuharu Uemoto
4H-SiCバルクにおける窒素添加異方性の第一原理計算
4H-SiC块体中氮添加各向异性的第一性原理计算
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小松 直貴;植本 光治;小野 倫也
- 通讯作者：小野 倫也
第一原理計算によるSiC/SiO2ステップ界面の電子状態解析
使用第一性原理计算对 SiC/SiO2 阶梯界面进行电子态分析
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：横田 知真;植本 光治;小野 倫也
- 通讯作者：小野 倫也
Graphene-based Symmetric and Non-Symmetric Magnetoresistive Junctions
基于石墨烯的对称和非对称磁阻结
- DOI：10.7566/jpsj.89.034708
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：Hashmi Arqum;Nakanishi Kenta;Ono Tomoya
- 通讯作者：Ono Tomoya
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Ono Tomoya其他文献
Identification of the structure of In/Si(111)-√7×√3 surface
In/Si(111)-√7×√3表面结构的识别
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Egami Yoshiyuki;Tsukamoto Shigeru;Ono Tomoya;T. Shirasawa - 通讯作者：
T. Shirasawa
薄膜型全固体電池の作製とそのin-situ電気化学特性評価
薄膜全固态电池的制备及其原位电化学性能评价
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tsunasaki Mukai;Ono Tomoya;Uemoto Mitsuharu;白木将 - 通讯作者：
白木将
真空・薄膜技術を活用した全固体リチウム電池研究
利用真空和薄膜技术的全固态锂电池研究
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Uemoto Mitsuharu;Komatsu Naoki;Egami Yoshiyuki;Ono Tomoya;白木将 - 通讯作者：
白木将
空間制御に基づくグラフェンナノリボンの精密合成と機能開拓
基于空间控制的石墨烯纳米带的精准合成与功能开发
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Farooq M. Umar;Hashmi Arqum;Ono Tomoya;Huang Li;Kaneko Hiromasa;北尾 岳史 - 通讯作者：
北尾 岳史
Ono Tomoya的其他文献
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相似海外基金
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$ 9.24万 - 项目类别：
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固体酸化物電解質膜内の粒界及びナノ結晶構造による酸素イオン伝導特性の制御
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- 批准号：
23K03696 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 9.24万 - 项目类别：
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- 资助金额：
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表面ポテンシャル変調を考慮した半導体ナノ細線の弾性歪み誘起電気伝導特性の解明
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