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Research and development on terahertz light emitting diodes

Research and development on terahertz light emitting diodes
太赫兹发光二极管的研发
批准号：
16H04351
负责人：
KITADA Takahiro
金额：
$10.65万
依托单位：
The University of Tokushima
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H04351/
关键词：
電子デバイス・機器テラヘルツ／赤外材料・素子半導体非線形光学デバイス半導体結合共振器面発光デバイステラヘルツ/赤外材料・素子

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MBEによる(113)A GaAs基板上におけるAlAs/Ge/AlAsヘテロ構造の副格子交換
通过 MBE 在 (113)A GaAs 衬底上进行 AlAs/Ge/AlAs 异质结构的亚晶格交换
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘]
通讯作者： 北田 貴弘
InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入によるニ波長レーザの温度特性
InGaAs量子阱有源层耦合谐振腔电流注入双波长激光器的温度特性
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘]
通讯作者： 北田 貴弘
MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長
通过 MBE 在 (113)B 和 (113)A GaAs 衬底上生长 GaAs/Ge/GaAs 异质结构
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘]
通讯作者： 北田 貴弘
Two-Color Surface Emitting Lasers by a GaAs-Based Coupled Multilayer Cavity Structure for Novel Coherent Terahertz Light Sources
采用 GaAs 基耦合多层腔结构的双色表面发射激光器，用于新型相干太赫兹光源
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu]
通讯作者： Takahiro Kitada and Toshiro Isu
共 42 条
    Fundamental studies on semiconductor coupled multilayer cavity for novel planar-type terahertz emission devices
    • 批准号：
      22360030
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.15万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      KITADA Takahiro
    • 依托单位：
      The University of Tokushima