Thin Film and Bulk Syntheses of Zn-IV-N2 Nitrides
Thin Film and Bulk Syntheses of Zn-IV-N2 Nitrides
Zn-IV-N2 氮化物的薄膜和本体合成
批准号：
16H04500
负责人：
YAMADA Naoomi
金额：
$11.32万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Effective mass and bandgap of ZnSnN2 earth-abundant solar absorber
ZnSnN2地球丰富的太阳能吸收体的有效质量和带隙
ZnSnN2地球丰富的太阳能吸收体的有效质量和带隙
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X. Cao, F. Kawamura, T. Taniguchi, N. Yamada]
通讯作者：
N. Yamada
High-pressure synthesis and properties on pseudo-III-V nitride of ZnSnN2 crystals
ZnSnN2晶体准III-V族氮化物的高压合成及性能
ZnSnN2晶体准III-V族氮化物的高压合成及性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Kawamura, N. Yamada, M. Imai, T. Taniguch]
通讯作者：
T. Taniguch
Bandgap tunable Zn3N2-Mg3N2 alloys for photovoltaic absrober
用于光伏吸收器的带隙可调 Zn3N2-Mg3N2 合金
用于光伏吸收器的带隙可调 Zn3N2-Mg3N2 合金
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X Cao, P. Wu, K. Matsuura, T. Tiedje, N. Yamada]
通讯作者：
N. Yamada
高圧下複分解反応によるZnSnN2半導体結晶合成
高压复分解反应合成ZnSnN2半导体晶体
高压复分解反应合成ZnSnN2半导体晶体
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川村史朗, 山田直臣, 谷口尚]
通讯作者：
谷口尚
新規II-IV-N2窒化物半導体結晶の成長および応用の可能性
新型II-IV-N2氮化物半导体晶体的生长和应用可能性
新型II-IV-N2氮化物半导体晶体的生长和应用可能性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山田直臣]
通讯作者：
山田直臣
共 10 条
Development of the growth of TiO2 nanowires on TiO2-based transparent conductors: an efficient photoanode for dye sensitized solar cells
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批准号：24550216
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.66万
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财政年份：2012
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负责人：YAMADA Naoomi
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依托单位：
Realization of transparent conducting TiO_2-based polycrystalline films
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批准号：19760475
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.37万
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财政年份：2007
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负责人：YAMADA Naoomi
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依托单位：