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Thin Film and Bulk Syntheses of Zn-IV-N2 Nitrides

Zn-IV-N2 氮化物的薄膜和本体合成

基本信息

批准号：
16H04500
负责人：
YAMADA Naoomi
金额：
$ 11.32万
依托单位：
Chubu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Effective mass and bandgap of ZnSnN2 earth-abundant solar absorber

ZnSnN2地球丰富的太阳能吸收体的有效质量和带隙

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
X. Cao;F. Kawamura;T. Taniguchi;N. Yamada
通讯作者：
N. Yamada

High-pressure synthesis and properties on pseudo-III-V nitride of ZnSnN2 crystals

ZnSnN2晶体准III-V族氮化物的高压合成及性能

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
F. Kawamura;N. Yamada;M. Imai;T. Taniguch
通讯作者：
T. Taniguch

Bandgap tunable Zn3N2-Mg3N2 alloys for photovoltaic absrober

用于光伏吸收器的带隙可调 Zn3N2-Mg3N2 合金

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
X Cao;P. Wu;K. Matsuura;T. Tiedje;N. Yamada
通讯作者：
N. Yamada

高圧下複分解反応によるZnSnN2半導体結晶合成

高压复分解反应合成ZnSnN2半导体晶体

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
川村史朗;山田直臣;谷口尚
通讯作者：
谷口尚

新規II-IV-N2窒化物半導体結晶の成長および応用の可能性

新型II-IV-N2氮化物半导体晶体的生长和应用可能性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
山田直臣
通讯作者：
山田直臣

DOI：
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作者：
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Development of the growth of TiO2 nanowires on TiO2-based transparent conductors: an efficient photoanode for dye sensitized solar cells

TiO2 纳米线在 TiO2 基透明导体上生长的发展：染料敏化太阳能电池的高效光电阳极

批准号：
24550216
财政年份：
2012
资助金额：
$ 11.32万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Realization of transparent conducting TiO_2-based polycrystalline films

TiO_2基透明导电多晶薄膜的实现

批准号：
19760475
财政年份：
2007
资助金额：
$ 11.32万
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)