Fabrication of Interacting, Silicene, Topological atom switch
Fabrication of Interacting, Silicene, Topological atom switch
相互作用、硅烯、拓扑原子开关的制造
批准号：
16H05984
负责人：
Yamazaki Shiro
金额：
$16.14万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Si(111)基板上Ag(111)超薄膜の有効量子井戸幅評価
Si(111)衬底上超薄Ag(111)薄膜的有效量子阱宽度评估
Si(111)衬底上超薄Ag(111)薄膜的有效量子阱宽度评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[菅原喜周, 板倉悠太, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之]
通讯作者：
平山博之
Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化
Si(111)√3x√3-B衬底上低温吸附铋超薄膜退火引起的结构变化
Si(111)√3x√3-B衬底上低温吸附铋超薄膜退火引起的结构变化
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之]
通讯作者：
平山博之
Ag超薄膜中の量子閉じ込めにおけるwetting layerの効果
润湿层对超薄银薄膜中量子限制的影响
润湿层对超薄银薄膜中量子限制的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[板倉悠太, 菅原喜周, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之]
通讯作者：
平山博之
AFM vs STM on Si atom switch
硅原子开关上的 AFM 与 STM
硅原子开关上的 AFM 与 STM
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Yamazaki, K. Maeda, Y. Sugimoto, M. Abe, P. Pou, L. Rodrigo, R. Perez, P. Mutombo, P. Jelinek, S. Morita]
通讯作者：
S. Morita
表面X線回折によるAg/Si(111)√3x√3-B界面構造の研究
表面X射线衍射研究Ag/Si(111)√3x√3-B界面结构
表面X射线衍射研究Ag/Si(111)√3x√3-B界面结构
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉池雄作, 田尻寛男, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之]
通讯作者：
平山博之
共 54 条
Development of Four-probe STM/AFM/STP and Atomic-scale Direct Observation of Electronic States, Atomic Structures and Electrical Transport
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批准号：18H01867
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.98万
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财政年份：2018
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负责人：Yamazaki Shiro
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依托单位：
Atomic-scale electronics linking microscopic atomic/molecular switches and macroscopic electrical transport
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批准号：17K19052
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.16万
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财政年份：2017
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负责人：Yamazaki Shiro
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依托单位：
a study about the postwar economic recovery system
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批准号：16K03783
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.25万
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财政年份：2016
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负责人：Yamazaki Shiro
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依托单位：
海外基金