Fabrication of Interacting, Silicene, Topological atom switch

相互作用、硅烯、拓扑原子开关的制造

基本信息

  • 批准号：
    16H05984
  • 负责人：
    Yamazaki Shiro
  • 金额：
    $ 16.14万
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Si(111)基板上Ag(111)超薄膜の有効量子井戸幅評価
Si(111)衬底上超薄Ag(111)薄膜的有效量子阱宽度评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    菅原喜周;板倉悠太;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者：
    平山博之
Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化
Si(111)√3x√3-B衬底上低温吸附铋超薄膜退火引起的结构变化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    長瀬謙太郎;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者：
    平山博之
Ag超薄膜中の量子閉じ込めにおけるwetting layerの効果
润湿层对超薄银薄膜中量子限制的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    板倉悠太;菅原喜周;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者：
    平山博之
AFM vs STM on Si atom switch
硅原子开关上的 AFM 与 STM
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Yamazaki;K. Maeda;Y. Sugimoto;M. Abe;P. Pou;L. Rodrigo;R. Perez;P. Mutombo;P. Jelinek;S. Morita
  • 通讯作者：
    S. Morita
表面X線回折によるAg/Si(111)√3x√3-B界面構造の研究
表面X射线衍射研究Ag/Si(111)√3x√3-B界面结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    吉池雄作;田尻寛男;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
  • 通讯作者：
    平山博之
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Crystal orientation dependence of metal?insulator transition for VO<sub>2</sub> microwires fabricated on TiO<sub>2</sub>(110) substrates with step and terrace structures
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  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Kim Kyungmin;Genchi Shingo;Yamazaki Shiro;Tanaka Hidekazu;Abe Masayuki
  • 通讯作者：
    Abe Masayuki

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    2024
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    $ 16.14万
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    2024
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    $ 16.14万
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  • 资助金额：
    $ 16.14万
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  • 资助金额：
    $ 16.14万
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  • 批准号：
    23K13665
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 16.14万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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