Development of thermoplastic semiconducting elastomer materials and their application to stretchable electronic devices

热塑性半导体弹性体材料的开发及其在可拉伸电子器件中的应用

基本信息

  • 批准号:
    16H06049
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Synthesis of Semiconductiong Polymers for Strechable Organic Field Effect Transistor Application
用于可拉伸有机场效应晶体管应用的半导体聚合物的合成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kazushi Iwamura;Kojiro Fuku;Naoki Ikenaga;Ueno Kazuhide;Tomoya Higashihara
  • 通讯作者:
    Tomoya Higashihara
レジオブロックコポリチオフェンの合成と解析
区域嵌段共聚噻吩的合成与分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    4)Takahashi;Y.; Ida;H.; Matsumae;Y.; Komaki;H.; Zhou;Y.; Kumatani;A.; Kanzaki;M.; Shiku;H.; Matsue;T.;後藤 栄祐,落合 優登,上田 充,東原 知哉
  • 通讯作者:
    後藤 栄祐,落合 優登,上田 充,東原 知哉
Semiconducting Thermoplastic Elastomers Consisting of Poly(3-hexylthiophene) and Polyisobutyrene Segments
由聚(3-己基噻吩)和聚异丁烯链段组成的半导体热塑性弹性体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Seijiro Fukuta;Keisuke Chino;Hiroaki Suzuki;Tomoya Higashihara
  • 通讯作者:
    Tomoya Higashihara
山形大学研究者情報
山形大学研究员信息
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
スタンフォード大学(米国)
斯坦福大学(美国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    福 康二郎
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  • 通讯作者:
    Higashihara Tomoya
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sato Kei-ichiro;Ito Souki;Higashihara Tomoya;Fuchise Keita;Kazuo Tanaka
  • 通讯作者:
    Kazuo Tanaka
Novel Synthetic Pathway for Multicyclic Polymers
多环聚合物的新合成途径
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sato Shingo;Lin Po-Shen;Wu Wei-Ni;Liu Cheng-Liang;Higashihara Tomoya;立石友紀・高橋聡・菊池勇・新津敬介・佐藤啓文・平岡秀一;Toshifumi Satoh
  • 通讯作者:
    Toshifumi Satoh
Intrinsically stretchable naphthalenediimide-bithiophene conjugated statistical terpolymers using branched conjugation break spacers for field-effect transistors
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  • DOI:
    10.1039/d1py01154e
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Lin Yan-Cheng;Matsuda Megumi;Sato Kei-ichiro;Chen Chun-Kai;Yang Wei-Chen;Chueh Chu-Chen;Higashihara Tomoya;Chen Wen-Chang
  • 通讯作者:
    Chen Wen-Chang

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  • 资助金额:
    $ 11.48万
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  • 批准号:
    20K05603
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    20J11033
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    19H02770
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    18K05212
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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