逆ぺロブスカイト型強磁性窒化物細線における磁壁物性の横断的研究

反钙钛矿铁磁氮化物线畴壁特性的横截面研究

基本信息

  • 批准号:
    16J02879
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.22万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-22 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、レアメタル・レアアース・貴金属フリーな次世代磁性材料として、フェリ磁性金属である窒化マンガンMn4Nに注目し、その細線デバイスにおける磁気特性の評価を行った。STO基板上に成長したMn4N薄膜を電子線リソグラフィとアルゴンイオンミリングを用いて幅1μmの細線に加工した。作製したデバイスにはパルス電流を注入し、その前後でのKerr効果顕微鏡像の差分から磁壁の移動を観察した。その結果、長さ1 nsのパルスに対する磁壁移動のしきい値電流は約3×10^11 A/m^2であり、平均磁壁速度は最大で1.3×10^12 A/m^2の電流で900 m/s以上まで及んだ。特に大電流領域における磁壁速度の線形的な振る舞いは後述する1次元モデルのそれと一致し、傾きから磁壁の移動度はη = Δv/Δj = 7.1×10^-10 m^3/Cと求まった。この値は、人工反強磁性積層膜における電流駆動での磁壁の最高速度である、3×10^12 A/m^2 での750 m/sと比べても低電流密度ながら高速であり、積層構造や磁場のアシストを含まない純粋なSTTのみで磁壁移動した例としては最速である。また、使用したMn4N薄膜の物性値を磁壁の移動度の理論式に代入したところ、電気伝導度のスピン分極率は約80 %と推定され、本材料の持つ磁気抵抗デバイスへの応用も期待できる結果となった。本研究では、現在の電流駆動磁壁移動の研究で主流となっているTbやGdといったレアアース、Ptといった貴金属元素を用いることなく、またスピン軌道トルクを用いることなく900 m/sを超える高速での磁壁駆動を、1.3×10^12 A/m2という比較的小さい電流密度で実現した。また、磁壁速度の傾向からスピン分極率も80 %と期待され、Mn4Nが持つスピントロニクス材料としてのポテンシャルを示すことができた。
The purpose of this study is to improve the performance of the next-generation magnetic materials, such as the next generation magnetic materials, the smothering magnetic materials, the Mn4N, the magnetic properties and the magnetic properties. For the growth of Mn4N thin films on STO substrates, the Mn4N thin film cable is processed with a 1 μ m cable. Make sure that the current is injected and the Kerr is monitored before and after the operation. The effect is similar to that of differential magnetic wall movement. The results show that the average wall velocity is about 3 × 10 ^ 11 A

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Spintec, CEA/Institut Neel, CNRS(フランス)
Spintec、CEA/尼尔研究所、CNRS(法国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Millimeter-sized magnetic domains in perpendicularly magnetized ferrimagnetic Mn4N thin films grown on SrTiO3
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.120310
  • 发表时间:
    2018-10
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    T. Gushi;L. Vila;O. Fruchart;A. Marty;S. Pizzini;J. Vogel;Fumiya Takata;Akihito Anzai;K. Toko;T. Suemasu;J. Attan'e
  • 通讯作者:
    T. Gushi;L. Vila;O. Fruchart;A. Marty;S. Pizzini;J. Vogel;Fumiya Takata;Akihito Anzai;K. Toko;T. Suemasu;J. Attan'e
Electrical detection of magnetic domain wall in Fe4N nanostrip by negative anisotropic magnetoresistance effect
  • DOI:
    10.1063/1.4962721
  • 发表时间:
    2016-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    T. Gushi;K. Ito;S. Higashikozono;Fumiya Takata;H. Oosato;Y. Sugimoto;K. Toko;S. Honda;T. Suemasu
  • 通讯作者:
    T. Gushi;K. Ito;S. Higashikozono;Fumiya Takata;H. Oosato;Y. Sugimoto;K. Toko;S. Honda;T. Suemasu
Domain wall properties and spin transfer torque in perpendicularly magnetized Mn4N ferrimagnet thin films
垂直磁化 Mn4N 铁磁体薄膜中的畴壁特性和自旋转移矩
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Gushi;L. Vila;J. P. Attane;O. Fruchart;A. Marty;S. Pizzini;F. Takata;A. Anzai and T. Suemasu
  • 通讯作者:
    A. Anzai and T. Suemasu
Investigation of spin-transfer properties in ferrimagnetic Mn4N nanowires
亚铁磁性 Mn4N 纳米线自旋转移特性的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Toshiki Gushi;Laurent Vila;Jean-Philippe Attane;Olivier Fruchart;Alain Marty;Stefania Pizzini;Jan Vogel;Fumiya Takata;Akihito Anzai;and Takashi Suemasu
  • 通讯作者:
    and Takashi Suemasu
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    東小薗 創真;伊藤 啓太;安富 陽子;具志 俊希;都甲 薫;末益 崇;Fumitoshi Matsuno
  • 通讯作者:
    Fumitoshi Matsuno
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使用 α-Fe 基体在 MgAl2O4 衬底上外延生长 α-Fe-N
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    東小薗 創真;伊藤 啓太;具志 俊希;都甲 薫;末益 崇
  • 通讯作者:
    末益 崇
逆ペロブスカイト型強磁性窒化物MnxFe4-xN 薄膜の磁気特性
反钙钛矿铁磁氮化物MnxFe4-xN薄膜的磁性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    安西 聡仁;具志 俊希;東小薗 創真;高田 郁弥;都甲 薫;末益 崇
  • 通讯作者:
    末益 崇
再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作
Lch=16nm 运行具有再生 S/D 的 InGaAs 多栅极 MOSFET
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    具志 俊希;伊藤 啓太;東小薗 創真;都甲薫;大里 啓孝;杉本 喜正;本多 周太;末益 崇;木下治紀 木瀬信和 祢津誠晃 金澤徹 宮本恭幸
  • 通讯作者:
    木下治紀 木瀬信和 祢津誠晃 金澤徹 宮本恭幸
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高田 郁弥;伊藤 啓太;具志 俊希;東小薗 創真;都甲 薫;末益 崇
  • 通讯作者:
    末益 崇

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  • 期刊:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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