Spectro-photoelastic imaging of local strain fields in semiconductor devices
Spectro-photoelastic imaging of local strain fields in semiconductor devices
半导体器件局部应变场的分光光弹性成像
批准号：
17K05040
负责人：
Fukuzawa Masayuki
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
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Photoelastic characterization of residual strain distribution in commerical off-axis SiC substrates
商用离轴 SiC 衬底中残余应变分布的光弹性表征
商用离轴 SiC 衬底中残余应变分布的光弹性表征
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yutarou Iida, Desheng Fu,, 福澤理行]
通讯作者：
福澤理行
Photoelastic Characterization of Residual Strain Distribution in Commercial Off-Axis SiC Substrates
商用离轴 SiC 衬底中残余应变分布的光弹性表征
商用离轴 SiC 衬底中残余应变分布的光弹性表征
DOI：
10.1007/s11664-020-08211-w
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Electronic Materials
影响因子：
2.1
作者：
[Fukuzawa Masayuki, Kanamoto Kazuki]
通讯作者：
Kanamoto Kazuki
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