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Spectro-photoelastic imaging of local strain fields in semiconductor devices
半导体器件局部应变场的分光光弹性成像
基本信息
- 批准号：17K05040
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Photoelastic characterization of residual strain distribution in commerical off-axis SiC substrates
商用离轴 SiC 衬底中残余应变分布的光弹性表征
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yutarou Iida;Desheng Fu,;福澤理行
- 通讯作者：福澤理行
Photoelastic Characterization of Residual Strain Distribution in Commercial Off-Axis SiC Substrates
商用离轴 SiC 衬底中残余应变分布的光弹性表征
- DOI：10.1007/s11664-020-08211-w
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：Fukuzawa Masayuki;Kanamoto Kazuki
- 通讯作者：Kanamoto Kazuki
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- 批准号：
07246215 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas