Material design of group-IV alloy monolayers using bond engineering concept

使用键合工程概念进行 IV 族合金单层材料设计

基本信息

  • 批准号:
    17K05056
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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計算材料科学で識る窒化物半導体のナノ構造・エピタキシャル成長
通过计算材料科学了解氮化物半导体的纳米结构和外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永井勝也;秋山亨;中村浩次;伊藤智徳;相可拓巳,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳;瀬田雄基,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳;永井勝也,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳;秋山亨,相可拓巳,瀬田雄基,中村浩次,伊藤智徳;清水紀志,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳,草場彰,寒川義裕;瀬田雄基,Abdul-Muizz Pradipto,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳;永井勝也,積木伸之介,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳;相可拓巳,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳;伊藤智徳,秋山亨,中村浩次
  • 通讯作者:
    伊藤智徳,秋山亨,中村浩次
Absolute surface energies of semipolar planes of AlN during metalorganic vapor phase epitaxy growth
金属有机气相外延生长过程中AlN半极性面的绝对表面能
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2018.12.011
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Seta Yuki;Akiyama Toru;Pradipto Abdul Muizz;Nakamura Kohji;Ito Tomonori
  • 通讯作者:
    Ito Tomonori
An ab initio study for the formation of two-dimensional III-nitride compound ultrathin films: Efects of Ag(111) substrate
二维 III 族氮化物超薄膜形成的从头算研究:Ag(111) 衬底的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Toru Akiyama;Yuma Tsuboi;Kohji Nakamura;Tomonori Ito
  • 通讯作者:
    Tomonori Ito
Theoretical investigations on the stability and electronic structures of two-dimensional group-IV ternary alloy monolayers
Theoretical study for the adsorption-desorption behavior of stepped III-nitrides during MOVPE growth
MOVPE生长过程中阶梯式III族氮化物吸附-解吸行为的理论研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takumi Ohka;Toru Akiyama;Abdul-Muizz Pradipto;Kohji Nakamura;Tomonori Ito
  • 通讯作者:
    Tomonori Ito
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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
    4
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  • 通讯作者:
    Tanaka Sakae
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  • DOI:
    10.1002/pssb.201700241
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ito Tomonori;Akiyama Toru;Nakamura Kohji
  • 通讯作者:
    Nakamura Kohji
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晶格应变引起的短周期 InN/AlN 超晶格的带隙变化
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawamura Takahiro;Basaki Kouhei;Korei Akito;Akiyama Toru;Kangawa Yoshihiro
  • 通讯作者:
    Kangawa Yoshihiro
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ohata Satoshi;Kawamura Takahiro;Akiyama Toru;Usami Shigeyoshi;Imanishi Masayuki;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;Sumi Tomoaki;Takino Junichi;藤橋実穂,西村文宏,金在虎,米沢晋
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    藤橋実穂,西村文宏,金在虎,米沢晋

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