Defect engineering and exploration of new function for graphene

石墨烯缺陷工程与新功能探索

• 批准号: 17K05053
• 负责人: Fujimoto Yoshitaka
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: Kyushu University (2021-2022)Tokyo Institute of Technology (2017-2020)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K05053/
• 关键词: グラフェン; 原子膜物質; ナノチューブ; 第一原理輸送計算; カーボンナノチューブ; 輸送特性; 第一原理電子構造計算; センサーデバイス; 環境汚染物質; 電子輸送現象; 電子輸送; 第一原理計算; ドーピング; 欠陥構造; カーボン系ナノ物質

项目成果

Electronic structure and scanning tunneling microscopy images of heterostructures consisting of graphene and carbon-doped hexagonal boron nitride layers

• DOI: 10.1103/physrevb.100.125403
• 发表时间: 2019-09-05
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Haga, Taishi;Fujimoto, Yoshitaka;Saito, Susumu
• 通讯作者: Saito, Susumu

Adsorption of molecules and electronic properties of graphene: A first-principles study

石墨烯的分子吸附和电子特性：第一性原理研究

• 发表时间: 2019
• 作者: Toru Akiyama;Motoshi Uchino;Kohji Nakamura;Tomonori Ito;S. Xiao;Hideto Miyake;豊田 紀章;鶴岡徹;Y. Fujimoto and S. Saito;鶴岡徹，寺部一弥;秋山亨，中村浩次，伊藤智徳;Y. Fujimoto
• 通讯作者: Y. Fujimoto

半導体中の不純物状態の新たな定量的予測方法

半导体杂质态定量预测新方法

• 发表时间: 2019
• 作者: 斎藤晋;藤本義隆;山下 寛樹;芳賀太史
• 通讯作者: 芳賀太史

ドナーとアクセプターが共存する複数ドープBN膜の電子物性

给体和受体共存的多掺杂BN薄膜的电子特性

• 发表时间: 2018
• 作者: 芳賀太史;藤本義隆;斎藤晋
• 通讯作者: 斎藤晋

Strain induced effects of hexagonal boron nitride atomic layers: A first-principles density-functional investigation

六方氮化硼原子层的应变诱导效应：第一性原理密度泛函研究

• 发表时间: 2017
• 作者: S. Saito;T. Haga;Y. Fujimoto;内田和人;Y. Fujimoto;Y. Fujimoto
• 通讯作者: Y. Fujimoto