Study on excited-electron transport through Si oxide thick films relating with charge-up compensation during XPS measurement
Study on excited-electron transport through Si oxide thick films relating with charge-up compensation during XPS measurement
XPS 测量过程中与充电补偿相关的氧化硅厚膜激发电子传输研究
批准号：
17K05068
负责人：
HIROSE KAZUYUKI
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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赤外パルスレーザ照射によるSiO2/Si界面準位形成
红外脉冲激光照射形成SiO2/Si界面态
红外脉冲激光照射形成SiO2/Si界面态
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[野村啓太, 井辻宏章, 小林大輔, 廣瀬和之]
通讯作者：
廣瀬和之
絶縁体表面帯電の自己補償機構の解明に向けたプラズマ CVD SiO2 膜に対する XPS による表面帯電評価
通过 XPS 评估等离子体 CVD SiO2 薄膜的表面充电，阐明绝缘体表面充电的自补偿机制
通过 XPS 评估等离子体 CVD SiO2 薄膜的表面充电，阐明绝缘体表面充电的自补偿机制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[牛丸晃太, 張江貴大, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之]
通讯作者：
廣瀬和之
XPS study on film thickness dependence of surface charge-up and resistance of SiO2 films on Si
Si 上 SiO2 薄膜表面充电和电阻对薄膜厚度依赖性的 XPS 研究
Si 上 SiO2 薄膜表面充电和电阻对薄膜厚度依赖性的 XPS 研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Ushimaru, T. Harie, D. Kobayashi, T. Yamamoto, and K. Hirose]
通讯作者：
and K. Hirose
X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interfaces of advanced MOSFETs
先进MOSFET SiO2/Si界面的X射线光电子能谱研究
先进MOSFET SiO2/Si界面的X射线光电子能谱研究
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Ushimaru, T. Harie, D. Kobayashi, T. Yamamoto, and K. Hirose, K. Hirose and D. Kobayashi]
通讯作者：
K. Hirose and D. Kobayashi
X線照射によるSiO2表面帯電の自己補償機構の解明に向けた表面電位測定：表面放出電子数を一定に制御した場合
表面电位测量阐明 X 射线照射引起的 SiO2 表面充电的自补偿机制：当表面发射电子数控制恒定时
表面电位测量阐明 X 射线照射引起的 SiO2 表面充电的自补偿机制：当表面发射电子数控制恒定时
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[張江貴大, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之]
通讯作者：
廣瀬和之