Study on excited-electron transport through Si oxide thick films relating with charge-up compensation during XPS measurement

XPS 测量过程中与充电补偿相关的氧化硅厚膜激发电子传输研究

• 批准号: 17K05068
• 负责人: HIROSE KAZUYUKI
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Japan Aerospace EXploration Agency
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K05068/
• 关键词: 絶縁体薄膜; 帯電補償; 表面電位; X線光電子分光; 励起電子; 電子輸送; SiO2/Si; 表面ポテンシャル; 帯電; X線光電子; 分光; 界面; SiO2; 表面・界面物性; Ｘ線; 誘電体物性; 超薄膜; 電子・電気材料

项目成果

赤外パルスレーザ照射によるSiO2/Si界面準位形成

红外脉冲激光照射形成SiO2/Si界面态

• 发表时间: 2017
• 作者: 野村啓太;井辻宏章;小林大輔;廣瀬和之
• 通讯作者: 廣瀬和之

絶縁体表面帯電の自己補償機構の解明に向けたプラズマ CVD SiO2 膜に対する XPS による表面帯電評価

通过 XPS 评估等离子体 CVD SiO2 薄膜的表面充电，阐明绝缘体表面充电的自补偿机制

• 发表时间: 2018
• 作者: 牛丸晃太;張江貴大;小林大輔;山本知之;廣瀬和之
• 通讯作者: 廣瀬和之

XPS study on film thickness dependence of surface charge-up and resistance of SiO2 films on Si

Si 上 SiO2 薄膜表面充电和电阻对薄膜厚度依赖性的 XPS 研究

• 发表时间: 2019
• 作者: K. Ushimaru;T. Harie;D. Kobayashi;T. Yamamoto;and K. Hirose
• 通讯作者: and K. Hirose

X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interfaces of advanced MOSFETs

先进MOSFET SiO2/Si界面的X射线光电子能谱研究

• 发表时间: 2018
• 作者: K. Ushimaru;T. Harie;D. Kobayashi;T. Yamamoto;and K. Hirose;K. Hirose and D. Kobayashi
• 通讯作者: K. Hirose and D. Kobayashi

X線照射によるSiO2表面帯電の自己補償機構の解明に向けた表面電位測定：表面放出電子数を一定に制御した場合

表面电位测量阐明 X 射线照射引起的 SiO2 表面充电的自补偿机制：当表面发射电子数控制恒定时

• 发表时间: 2017
• 作者: 張江貴大;小林大輔;山本知之;廣瀬和之
• 通讯作者: 廣瀬和之