Single crystal semiconductor and nitride and ferromagnetic silicide new device using cotainerless process
Single crystal semiconductor and nitride and ferromagnetic silicide new device using cotainerless process
采用无容器工艺的单晶半导体及氮化物和铁磁硅化物新器件
批准号：
17K06878
负责人：
Nagayama Katsuhisa
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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ドロップチューブプロセスを用いた磁性半導体微粒子の単結晶形成能と結晶成長機構
使用滴管法的磁性半导体颗粒的单晶形成能力和晶体生长机制
使用滴管法的磁性半导体颗粒的单晶形成能力和晶体生长机制
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小林 旦, 永山勝久, 佐藤 大樹，宇都宮 登雄，永山 勝久，渡邊 康平，半谷 禎彦，安藤 瑞季, 山下 宙紀，永山 勝久]
通讯作者：
山下 宙紀，永山 勝久
ドロップチューブプロセスを用いたMn添加GaSb磁性半導体微粒子創製
使用落管工艺制造锰掺杂 GaSb 磁性半导体颗粒
使用落管工艺制造锰掺杂 GaSb 磁性半导体颗粒
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[沖 直人, 永山勝久]
通讯作者：
永山勝久
ドロップチューブおよびガスジェット浮遊溶融凝固法を用いたSiの過冷度と結晶成長
使用滴管和气体喷射浮动熔体凝固方法进行硅的过冷度和晶体生长
使用滴管和气体喷射浮动熔体凝固方法进行硅的过冷度和晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤井大樹, 永山勝久]
通讯作者：
永山勝久
浮遊落下高速圧縮法を用いたNd-Fe-B系永久磁石材料の高保磁力発現に対するCu添加効果
Cu添加对浮滴高速压缩法Nd-Fe-B永磁材料高矫顽力表现的影响
Cu添加对浮滴高速压缩法Nd-Fe-B永磁材料高矫顽力表现的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[渡部哲平, 永山勝久]
通讯作者：
永山勝久
浮遊落下高速圧縮法を用いたNd28Fe68-xCuxB4試料の高保磁力発現と微細構造
浮滴高速压缩法Nd28Fe68-xCuxB4样品的高矫顽力表达和微观结构
浮滴高速压缩法Nd28Fe68-xCuxB4样品的高矫顽力表达和微观结构
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大畑智誠, 永山勝久]
通讯作者：
永山勝久
共 10 条