Single crystal semiconductor and nitride and ferromagnetic silicide new device using cotainerless process

采用无容器工艺的单晶半导体及氮化物和铁磁硅化物新器件

基本信息

批准号：
17K06878
负责人：
Nagayama Katsuhisa
金额：
$ 3万
依托单位：
Shibaura Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

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专利数量（0）

ドロップチューブプロセスを用いた磁性半導体微粒子の単結晶形成能と結晶成長機構

使用滴管法的磁性半导体颗粒的单晶形成能力和晶体生长机制

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
小林　旦;永山勝久;佐藤　大樹，宇都宮　登雄，永山　勝久，渡邊　康平，半谷　禎彦，安藤　瑞季;山下　宙紀，永山　勝久
通讯作者：
山下　宙紀，永山　勝久

ドロップチューブプロセスを用いたMn添加GaSb磁性半導体微粒子創製

使用落管工艺制造锰掺杂 GaSb 磁性半导体颗粒

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
沖　直人;永山勝久
通讯作者：
永山勝久

浮遊落下高速圧縮法を用いたNd-Fe-B系永久磁石材料の高保磁力発現に対するCu添加効果

Cu添加对浮滴高速压缩法Nd-Fe-B永磁材料高矫顽力表现的影响

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
渡部哲平;永山勝久
通讯作者：
永山勝久

ドロップチューブおよびガスジェット浮遊溶融凝固法を用いたSiの過冷度と結晶成長

使用滴管和气体喷射浮动熔体凝固方法进行硅的过冷度和晶体生长

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤井大樹;永山勝久
通讯作者：
永山勝久

液滴溶融凝固プロセスを用いたⅢ-Ⅴ族化合物半導体の結晶成長とCrSb，MnSb強磁性微粒子創製

使用液滴熔化和凝固过程的 III-V 化合物半导体晶体生长以及 CrSb 和 MnSb 铁磁颗粒的生成

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
柳　寿明;永山勝久
通讯作者：
永山勝久

DOI：
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批准号：
12650740
财政年份：
2000
资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)