Nano-structured thermoelectric materials investigated through electrochemical interface

通过电化学界面研究纳米结构热电材料

基本信息

  • 批准号：
    17K19060
  • 负责人：
    Shimizu Sunao
  • 金额：
    $ 4.08万
  • 依托单位：
    Institute of Physical and Chemical Research
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-06-30 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
電気二重層トランジスタと固体物性研究
双电层晶体管及固态物理性能研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sunao Shimizu;Junichi Shiogai;Nayuta Takemori;Shiro Sakai;Hiroaki Ikeda;Ryotaro Arita;Tsutomu Nojima;Atsushi Tsukazaki;Yoshihiro Iwasa;清水直
  • 通讯作者：
    清水直
Electric field control of thermoelectric properties in layered two dimensional materials
层状二维材料热电性能的电场控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    安波 道郎;宮原 麗子;中村 仁美;吉田 レイミント;高橋 健介;ヴ・ ディン・ティエム;レ・ フー・トー;ダン・ ドゥク・アーイン;森内 浩幸;有吉 紅也.;奥宮清人;圦本尚義;Sunao Shimizu
  • 通讯作者：
    Sunao Shimizu
Enhanced Seebeck effect in ion-gated FeSe
离子门控 FeSe 中增强的塞贝克效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Shimizu;J. Shiogai;N. Takemori;S;Shiro;H. Ikeda;R. Arita;T. Nojima;A. Tsukazaki;Y. Iwasa
  • 通讯作者：
    Y. Iwasa
SrTiO3電場誘起超伝導体における高ドープ領域での面内臨界磁場の増大
SrTiO3场感超导体高掺杂区域面内临界磁场的增强
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    大内拓;清水直;岩佐義宏;野島勉
  • 通讯作者：
    野島勉
Bulk rectification effect in a polar semiconductor
  • DOI：
    10.1038/nphys4056
  • 发表时间：
    2017-06-01
  • 期刊：
    NATURE PHYSICS
  • 影响因子：
    19.6
  • 作者：
    Ideue, T.;Hamamoto, K.;Iwasa, Y.
  • 通讯作者：
    Iwasa, Y.
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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  • 通讯作者：
    Watanabe Tsuneo

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.journal_name }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}
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{{ showInfoDetail.title }}

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