窒化ガリウムパワー半導体素子の信頼性に関する研究

氮化镓功率半导体器件可靠性研究

• 批准号: 17F17809
• 负责人: 大村 一郎
• 金额: $ 0.7万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-11-10 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17F17809/
• 关键词: GaNパワー半導体; コラプス現象; TCADシミュレーション; 窒化ガリウム（GaN）

窒化ガリウム（GaN）パワー半導体は、低損失動作を実現する高い特性を持つため次世代の省エネデバイスとして注目されているが、長期的な信頼性の確保と動作電流の増加が実用化に向けた課題である。本研究では、デバイスの高性能化には欠かせない、デバイスの高い信頼性を確保するする目的で、電流コラプスのメカニズムの分析を行いその防止に貢献する。具体的には、①TCADによるシミュレーションによる机上検討および電流コラプスのシミュレーションを行った。②パワーエレクトロニクス高電圧回路での連続運転中の電流コラプスを計測する方法を開発し、GaN-Systemsの素子を実際に評価した。このような評価は世界で初めてだと思われる。この結果をもとに実用上の影響を調査した。シミュレーションでは、ゲートリーク現象をTCADで再現することをでリーク現象のモデルを提案した。特にP型ゲートを有するデバイスの信頼性とリークに関するメカニズム分析をおこなった。本件は論文化した。実験に関しては、安全ボックスとフェールセーフの機構を導入し、必要な安全対策等を講じている。そのうえで電流コラプスによる電圧の変化をとらえる事ができ、連続運転中のコラプスによる電圧上昇を確認できた。本件研究をベースに企業と受託研究を行い、GaN素子を製造しているメーカへの研究内容のフィードバックを行った。GaNパワー素子は、一部市場に出ているものの、コラプスによる信頼性が大きな課題になっている。本研究は、実際に動作する装置で、コラプスを計測する全く新しい信頼性評価法であり、注目される成果だと思われる。

GaN semiconductor has high performance characteristics, low loss operation, low cost performance, low cost performance, low cost, low cost performance, low cost This study aims to improve the performance of the system and to ensure its high reliability, and contributes to the prevention of current leakage. In particular, the TCAD system is designed to be able to operate on the machine and the current system. (2) Development of a method for measuring the current level in a continuous high-voltage circuit, and evaluation of the elements of GaN-Systems. The world is beginning to think about it. The results of this investigation were investigated. The image of a child is displayed in TCAD. Special P-type information analysis This article discusses culture. In addition, the introduction of relevant and necessary safety measures into the organization shall be conducted in accordance with relevant regulations and safety regulations. The voltage rise in the current field is confirmed. This study is aimed at enterprises and commissioned research, GaN production and research content. GaN is a new type of material, which can be used in many markets. This study is based on a completely new method of evaluating the reliability of the device and its measurement.

项目成果

Prospects of reliable GaN technology in power devices

可靠的GaN技术在功率器件中的前景

• 发表时间: 2018
• 作者: Giorgia Longobardi; Ichiro Omura
• 通讯作者: Ichiro Omura