Bottom-Up Integration of Vertical Nanowire Spin-Transistors on Silicon
Bottom-Up Integration of Vertical Nanowire Spin-Transistors on Silicon
硅上垂直纳米线自旋晶体管的自下而上集成
批准号：
17H02727
负责人：
Hara Shinjiro
金额：
$11.73万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Control of Bending Structures in MnAs/InAs Heterojunction Nanowires
MnAs/InAs异质结纳米线弯曲结构的控制
MnAs/InAs异质结纳米线弯曲结构的控制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryutaro Kodaira, Tetsuro Kadowaki, Shinjiro Hara]
通讯作者：
Shinjiro Hara
Anomalous Angle-Dependent Magnetoresistance in InAs Nanowires
InAs 纳米线中的反常角度相关磁阻
InAs 纳米线中的反常角度相关磁阻
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Patrick Uredat, Ryoma Horiguchi, Ryutaro Kodaira, Shinjiro Hara, Peter J. Klar, and Matthias T. Elm]
通讯作者：
and Matthias T. Elm
Analyses of Magnetic Domains in MnAs Nanoclusters Grown by Selective-Area MOVPE
选择性区域 MOVPE 生长的 MnAs 纳米团簇的磁畴分析
选择性区域 MOVPE 生长的 MnAs 纳米团簇的磁畴分析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryoma Horiguchi, Masaya Iida, Kohei Morita, Shinjiro Hara]
通讯作者：
Shinjiro Hara
Magnetic Domain Structures Depending on Applied Magnetic Fields in MnAs Nanodisks Selectively-Grown on Si (111) Substrates
在 Si (111) 衬底上选择性生长的 MnAs 纳米盘中取决于外加磁场的磁畴结构
在 Si (111) 衬底上选择性生长的 MnAs 纳米盘中取决于外加磁场的磁畴结构
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kozaburo Suzuki, Ryoma Horiguchi, Masaya Iida, Shinjiro Hara]
通讯作者：
Shinjiro Hara
Justus-Liebig-University of Giessen(ドイツ)
Justus-Liebig-吉森大学（德国）
Justus-Liebig-吉森大学（德国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 29 条
Bottom-Up Fabrication of Vertical Nanowire Spin-LEDs on Silicon
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批准号：16K13671
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.41万
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财政年份：2016
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负责人：Hara Shinjiro
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依托单位：
海外基金