Bottom-Up Fabrication of Vertical Nanowire Spin-LEDs on Silicon
Bottom-Up Fabrication of Vertical Nanowire Spin-LEDs on Silicon
硅上垂直纳米线自旋 LED 的自下而上制造
批准号：
16K13671
负责人：
Hara Shinjiro
金额：
$2.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Magnetization characterization of MnAs nanoclusters at close range in bended MnAs/InAs heterojunction nanowires
弯曲 MnAs/InAs 异质结纳米线中 MnAs 纳米团簇的近距离磁化表征
弯曲 MnAs/InAs 异质结纳米线中 MnAs 纳米团簇的近距离磁化表征
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.11.023
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Ryutaro Kodaira, Ryoma Horiguchi, Shinjiro Hara]
通讯作者：
Shinjiro Hara
Photoluminescence of Zn-Doped InP Nanowires: Mixing of Crystal Structures, Donor-Acceptor Pair Recombination, and Surface Effects
掺锌 InP 纳米线的光致发光：晶体结构的混合、供体-受体对重组和表面效应
掺锌 InP 纳米线的光致发光：晶体结构的混合、供体-受体对重组和表面效应
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Junichi Motohisa, Hiroki Kameda, Masahiro Sasaki, Shinjiro Hara, Katsuhiro Tomioka]
通讯作者：
Katsuhiro Tomioka
DOI：
10.1063/1.5045241
发表时间：
2018-10
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[R. Horiguchi;S. Hara;M. Iida]
通讯作者：
R. Horiguchi;S. Hara;M. Iida
Control of Bending Structures in MnAs/InAs Heterojunction Nanowires
MnAs/InAs异质结纳米线弯曲结构的控制
MnAs/InAs异质结纳米线弯曲结构的控制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryutaro Kodaira, Tetsuro Kadowaki, Shinjiro Hara]
通讯作者：
Shinjiro Hara
DOI：
10.7567/jjap.55.075503
发表时间：
2016-06
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Ryutaro Kodaira;S. Hara;Kyohei Kabamoto;H. Fujimagari]
通讯作者：
Ryutaro Kodaira;S. Hara;Kyohei Kabamoto;H. Fujimagari
共 30 条
Bottom-Up Integration of Vertical Nanowire Spin-Transistors on Silicon
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批准号：17H02727
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.73万
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财政年份：2017
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负责人：Hara Shinjiro
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依托单位：