High-speed in situ X-ray diffraction for dislocation control in semiconductor crystal growth
High-speed in situ X-ray diffraction for dislocation control in semiconductor crystal growth
用于半导体晶体生长中位错控制的高速原位 X 射线衍射
批准号：
17H02778
负责人：
Takahasi Masamitu
金额：
$11.56万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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会议论文
III-V Semiconductor Thin-Film Growth
III-V 族半导体薄膜生长
III-V 族半导体薄膜生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[W. Voegeli, M. Takahasi, T. Sasaki, S. Fujikawa, T. Shirasawa, E. Arakawa, T. Takahashi, T. Matsushita]
通讯作者：
T. Matsushita
その場放射光X線回折による結晶成長研究の進展
原位同步加速器X射线衍射晶体生长研究进展
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Ogawa, H. Tanaka, S. Ohno, M. Tanaka, K. Miki, S. Ogawa, Y.Takakuwa, 三木一司, 高橋正光]
通讯作者：
高橋正光
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