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High-speed in situ X-ray diffraction for dislocation control in semiconductor crystal growth
用于半导体晶体生长中位错控制的高速原位 X 射线衍射
基本信息
- 批准号：17H02778
- 负责人：
- 金额：$ 11.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
III-V Semiconductor Thin-Film Growth
III-V 族半导体薄膜生长
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：W. Voegeli;M. Takahasi;T. Sasaki;S. Fujikawa;T. Shirasawa;E. Arakawa;T. Takahashi;T. Matsushita
- 通讯作者：T. Matsushita
その場放射光X線回折による結晶成長研究の進展
原位同步加速器X射线衍射晶体生长研究进展
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Ogawa;H. Tanaka;S. Ohno;M. Tanaka;K. Miki;S. Ogawa; Y.Takakuwa;三木一司;高橋正光
- 通讯作者：高橋正光
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Takahasi Masamitu其他文献
In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN
GaN 和 InN 上 GaInN RF-MBE 生长的原位同步加速器 X 射线衍射倒易空间映射测量
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- 影响因子：2.7
- 作者：
Yamaguchi Tomohiro;Sasaki Takuo;Fujikawa Seiji;Takahasi Masamitu;Araki Tsutomu;Onuma Takeyoshi;Honda Tohru;Nanishi Yasushi - 通讯作者：
Nanishi Yasushi
Design of nano-spintronics beamline at 3-GeV next-generation synchrotron radiation facility, NanoTerasu
3-GeV 下一代同步加速器辐射设施 NanoTerasu 的纳米自旋电子束线设计
- DOI：
10.1088/1742-6596/2380/1/012037 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ohtsubo Yoshiyuki;Ueno Tetsuro;Iwasawa Hideaki;Miyawaki Jun;Horiba Koji;Inaba Kento;Agui Akane;Inami Nobuhito;Nakatani Takeshi;Imazono Takashi;Fujii Kentaro;Kimura Hiroaki;Takahasi Masamitu - 通讯作者：
Takahasi Masamitu
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