Deposition of High Performance Organic Thin Films by Atomizing Crystallization Using Supercritical Carbon Dioxide and the Development to Thin Films Design

超临界二氧化碳雾化结晶沉积高性能有机薄膜及薄膜设计发展

基本信息

  • 批准号:
    17H03440
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Novel Fabrication Technique of Organic Thin Film Transistors (OTFTs) by Rapid Expansion of Supercritical Solutions (RESS) Using Carbon Dioxide
利用二氧化碳快速膨胀超临界溶液 (RESS) 制造有机薄膜晶体管 (OTFT) 的新技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Sakamoto;Y. Shiba;K. Shimamura;H. Uchida;H. Uchida
  • 通讯作者:
    H. Uchida
溶液剪断法によるTIPSペンタセン薄膜創製に対する基板表面処理の影響
基材表面处理对溶液剪切法制备TIPS并五苯薄膜的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤田智紀;内田博久
  • 通讯作者:
    内田博久
Deposition of Ph-BTBT-10 Thin Films by Rapid Expansion of Supercritical Solutions (RESS) Using CO2
使用 CO2 通过超临界溶液 (RESS) 快速膨胀沉积 Ph-BTBT-10 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Sakamoto;Y. Shiba;K. Shimamura;H. Uchida
  • 通讯作者:
    H. Uchida
TIPS-Pentacene Thin Films Deposition Using Solution-Shearing (SS) Method: Effects of Surface Treatments of SiO2 Gate Insulators
使用溶液剪切 (SS) 方法沉积并五苯薄膜:SiO2 栅极绝缘体表面处理的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Fujita;T. Kobayashi;Y. Ikeda;Y. Shiba;H. Uchida
  • 通讯作者:
    H. Uchida
超臨界二酸化炭素の特異な溶媒特性を活かした材料プロセッシングの現状と今後の展開
利用超临界二氧化碳独特溶剂特性的材料加工现状及未来发展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    坂本有衣;芝雄介;藤田智紀;内田博久;内田博久
  • 通讯作者:
    内田博久
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  • 通讯作者:
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    2020
  • 期刊:
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  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Oota Kengo;Uchida Hirohisa;Takeya Kei;Kawase Kodo
  • 通讯作者:
    Kawase Kodo
Optimization of OH1 Single-Crystalline Thin Film for Effective THz Source by Physical Vapor Deposition
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    $ 11.48万
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    $ 11.48万
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