Low power consumption tunnel FETs in two-dimensional materials
二维材料中的低功耗隧道 FET
基本信息
- 批准号:18H01482
- 负责人:
- 金额:$ 11.23万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
NAKAHARAI Shu其他文献
2D Materials and van-der-Waals Heterostructure based Optoelectronic Devices
二维材料和基于范德华异质结构的光电器件
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者:
NAKAHARAI Shu
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- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者:
NAKAHARAI Shu
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- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者:
NAKAHARAI Shu
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}