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Low power consumption tunnel FETs in two-dimensional materials
二维材料中的低功耗隧道 FET
基本信息
- 批准号：18H01482
- 负责人：
- 金额：$ 11.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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NAKAHARAI Shu其他文献
2D Materials and van-der-Waals Heterostructure based Optoelectronic Devices
二维材料和基于范德华异质结构的光电器件
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者：
NAKAHARAI Shu
Enhanced Quantum Efficiency in Mixed-thickness ReS2/p-Si Schottky Photodiode
混合厚度 ReS2/p-Si 肖特基光电二极管的量子效率增强
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者：
NAKAHARAI Shu
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- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者：
NAKAHARAI Shu
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