Low power consumption tunnel FETs in two-dimensional materials
Low power consumption tunnel FETs in two-dimensional materials
二维材料中的低功耗隧道 FET
批准号：
18H01482
负责人：
NAKAHARAI Shu
金额：
$11.23万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
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会议论文
２次元物質の新しいエレクトロニクス応用
二维材料的新型电子应用
二维材料的新型电子应用
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中払周]
通讯作者：
中払周