Low-temperature van der Waals epitaxy using high vapor pressure sources
Low-temperature van der Waals epitaxy using high vapor pressure sources
使用高蒸气压源的低温范德华外延
批准号：
18H01822
负责人：
Ueno Keiji
金额：
$10.57万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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遷移金属ダイカルコゲナイドの構造，物性，原子膜形成法
过渡金属二硫属化物的结构、物理性质及原子成膜方法
过渡金属二硫属化物的结构、物理性质及原子成膜方法
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
化学と工業
影响因子：
--
作者：
[Ikeda Yukihiro, Ueno Keiji, 上野啓司]
通讯作者：
上野啓司
β相MoTe2の大型単結晶合成(2)
β相MoTe2大单晶合成（2）
β相MoTe2大单晶合成（2）
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森 拓哉, 上野 啓司]
通讯作者：
上野 啓司
カリウム塩をアシスト剤に用いた単層MoS2及びWS2の化学気相成長
以钾盐为助剂的单层MoS2和WS2化学气相沉积
以钾盐为助剂的单层MoS2和WS2化学气相沉积
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Keiji Ueno, Tomohiro Shida, Shuuto Horii, 小野悠太朗，上野啓司, 上野啓司, 池田幸弘，上野啓司, 五十嵐玲太，白井肇，上野啓司, 堀井嵩斗，上野啓司, 池田幸弘，上野啓司, 五十嵐玲太，白井肇，上野啓司]
通讯作者：
五十嵐玲太，白井肇，上野啓司
埼玉大学大学院理工学研究科 上野研究室公式Webページ
埼玉大学研究生院理工学研究科上野实验室官方网页
埼玉大学研究生院理工学研究科上野实验室官方网页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
低温ALD成長したWS2薄膜の素子応用
低温ALD生长WS2薄膜的器件应用
低温ALD生长WS2薄膜的器件应用
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福島 崇史, 上野 啓司]
通讯作者：
上野 啓司
共 39 条
The role of fructan metabolism in the roots for the emergence of asparagus spears
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批准号：19K06021
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2019
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负责人：Ueno Keiji
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依托单位：