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Frequency Modulated Terahertz Laser Emitting Devices

调频太赫兹激光发射装置

基本信息

批准号：
21K18872
负责人：
劉小晰
金额：
$ 4.16万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-07-09 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

テラヘルツ波は周波数0.3から10　THｚ（波長1mmから30μm）の周波数帯の電磁波である。この帯域はマイクロ波と赤外線の中間に位置しており、赤外線のように直線伝搬特性とマイクロ波のように様々な物質を透過できる特性を両立している。3次元イメージングが可能な可視化手段として、医療診断、LSIチップの故障解析、セキュリティ対策、医薬品、食品の品質管理等分野への応用が期待されている。本研究では、グラフェンの高い電子の移動度・長い平均自由行程など優れた電子伝導特性を利用し、グラフェン薄膜・垂直半透明薄膜の二層化によって、テラヘルツ波発振素子の実現を目的としている。透明度の高い垂直磁化膜及びそのグラフェン薄膜との二層化は本研究の実験重点である。本年度では、合成石英基板を用いて、透明度の高い正方晶系フェライト薄膜に着目し、実験を行ったところ、保磁力10ｋOe以上の正方晶系フェライト薄膜の形成が成功した。現在論文投稿中である。更に、瞬間冷却可能な新規熱処理方法を導入し、ラーマン分光により磁性薄膜上にグラフェン薄膜の形成を確認できた。Ｘ線回折法の結果から、これらのグラフェン薄膜は基板面に平行に成長したことを明らかにした。更に、微細領域のフラッシュ熱処理法の導入になり、昇温、降温速度の制御により、フラフェンとアモルファスカーボン間のトランスフォーメーション手法を確立した。これらの手法を用いて、抵抗変化型の高密度集積可能なメモリーへの応用も可能になった。

Youdaoplaceholder0 the テラヘ wave テラヘ the frequency of the wave 0.3 the ら10 THZ (wavelength 1mm らら30μm) the frequency band of the <s:1> electromagnetic wave である. この帯 domain はマイクロ wave と red outside のに position among しており, perimeter のように linear 伝 move features とマイクロ wave のように others 々をな material through できる features を struck made している. Three dimensional イメージングがな visualization means to として, medical diagnosis, LSI チップの fault parsing, セキュリティ policy, medical 薬 product, food の seaborne quality management division への応 with が expect されている. This study では, グラフェンの is high, long いい electronic の mobile degrees mean free trip など optimal れたし, use of electronic 伝 guide features をグラフェン film, vertical translucent membrane の second によって, テラヘルツ vibration wave 発 element child の purpose be presently をとしている. <s:1> high transparency <s:1> vertical magnetized film and びそグラフェグラフェ <s:1> film と <s:1> layerization <e:1> the key points of this study <s:1> experiment である. This year では "を, synthetic Shi Yingji boards with いて, high transparency のい tetragonal crystal system フェライト film に mesh し, be 験を line ったところ, magnetic above 10 koe の tetragonal crystal system フェライのト film forming が successful した. Papers are now being submitted at である. に, instant cooling more likely な new rules hot 処 method を import し, ラーマン spectral により magnetic thin film on にグラフェのン film forming を confirm できた. X-ray back twists の results から, これらのグラフェはン film base board face に parallel に growth したことを Ming らかにした. に, more subtle areas のフラッシュ hot 処 logos の import になり, heating, cooling speed の suppression により, フラフェンとアモルファスカーボン between のトランスフォーメーション gimmick を establish した. The <s:1> れら <s:1> technique を uses をてて, and the resistance to deformation type <s:1> high-density accumulation may なメモリなメモリへへ応応 may になった.