強レーザー場円2色性によるキラリティ検出法の開拓

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超短パルス強レーザー場におけるキラル分子のレーザートンネル電子運動量分布の3次元運動量観測に向けて，引き続き電子ーイオンコインシデンス運動量計測系および高繰り返しレーザーシステムの整備を行った。同等のイオン化ポテンシャルをもつArおよびH2について，トンネル電子の運動量分布計測を行ったところ，観測されたトーラス状分布の主半径およびトーラス断面に現れる垂直運動量分布の幅にArとH2で明瞭な違いが見出された。高強度場近似（SFA）に基づく理論計算を用いてp軌道およびs軌道からイオン化した光電子の運動量分布を計算を行い，観測された光電子分布の違いは価電子軌道がもつ特徴，特に軌道角運動量に起因していることが明らかとなった。また，実験室系および分子座標系における光電子円2色性（PECD)の精密計測を実現するために，2段スキマーを用いた冷却分子ビーム源の設計・製作を進めた。昨年度四フッ化炭素（CF4）において観測された強レーザー場における円偏光ヘリシティ依存性の詳細を明らかにすることを目的として，四塩化炭素（CCl4）分子の解離性トンネルイオン化過程，CCl4-> CCl3+ + Cl + e-，について研究を行った。電子ーイオンコインシデンス計測によって得られた反跳座標系における光電子角度分布 は，CF4と比べてほぼ等方的な分布を示した。一方，円偏光ヘリシティに対応して角度分布に明瞭な変化が見出され，強レーザー場における解離性イオン化において，非キラル分子が円2色性を示すことが確認された。また，イオン化軌道を選別したPECD測定に向けて，補助解離パルスを援用した電子ーイオンコインシデンス計測法の開発を進めた。