Pulse power supply using avalanche semiconductor

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Avalanche半導体(Avalanche mode thyristor:AMTと略す)を使った高電圧大電流パルス源の開発のために、本年度は試験回路を試作しほぼ予定の特性を得た。　具体的にはAMT11段、20kV印加時12.5Ω負荷に対してパルス幅500ns, 5kV, 0.4kAのパルス出力を得た。今後、AMTの段数を増やし、1.2kA以上のパルス出力を目指す。また、加速器のパルス電源として使用する場合パルス電圧を可変にする必要があるが、AMTの基本回路では印加電圧を設計値近辺で使用しなければならない。印加電圧の使用範囲を広げる回路を開発し、これを特許出願の準備を進めている。また、学会に発表する予定である。