Demonstration of low power consumption memory device using electric field induced magnetization reversal
Demonstration of low power consumption memory device using electric field induced magnetization reversal
使用电场感应磁化反转的低功耗存储器件演示
批准号：
21K18891
负责人：
Azuma Masaki
金额：
$4.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
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Heteroepitaxial growth of InSb thin film on SrTiO3 (001) by pulsed laser deposition for magnetic Hall sensor application
通过脉冲激光沉积在 SrTiO3 (001) 上异质外延生长 InSb 薄膜，用于磁性霍尔传感器应用
通过脉冲激光沉积在 SrTiO3 (001) 上异质外延生长 InSb 薄膜，用于磁性霍尔传感器应用
DOI：
10.35848/1347-4065/ac7bf3
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Lee Koomok, Shigematsu Kei, Azuma Masaki]
通讯作者：
Azuma Masaki
Magnetization reversal by electric field in Co-substituted BiFeO3 under a control of domains by trailing fields
尾随场磁畴控制下 Co 取代 BiFeO3 中电场的磁化反转
尾随场磁畴控制下 Co 取代 BiFeO3 中电场的磁化反转
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Katsumata Marin, Shigematsu Kei, Itoh Takuma, Shimizu Haruki, Shimizu Keisuke, Azuma Masaki, 川野勇太郎・正井宏・寺尾潤, Masaki Azuma, 中川 智稀・正井 宏・寺尾 潤, Masaki Azuma, 中川 智稀・正井 宏・寺尾 潤, Kei Shigematsu]
通讯作者：
Kei Shigematsu
Magnetization Reversal in BiFe0.9Co0.1O3 Thin Films 1- Spin Structure and Magnetization Reversal by Electric Field at Room Temperature in Co-Substituted Bismuth Ferrite Thin Film
BiFe0.9Co0.1O3 薄膜中的磁化反转 共取代铁酸铋薄膜中 1- 自旋结构和室温电场引起的磁化反转
BiFe0.9Co0.1O3 薄膜中的磁化反转 共取代铁酸铋薄膜中 1- 自旋结构和室温电场引起的磁化反转
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Katsumata Marin, Shigematsu Kei, Itoh Takuma, Shimizu Haruki, Shimizu Keisuke, Azuma Masaki, 川野勇太郎・正井宏・寺尾潤, Masaki Azuma, 中川 智稀・正井 宏・寺尾 潤, Masaki Azuma, 中川 智稀・正井 宏・寺尾 潤, Kei Shigematsu, Kei Shigematsu]
通讯作者：
Kei Shigematsu
磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の 書き込みおよび読み取り方法
磁存储元件以及用于在磁存储元件中写入和读取信息的方法
磁存储元件以及用于在磁存储元件中写入和读取信息的方法
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1063/5.0061508
发表时间：
2021-09-27
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Katsumata, Marin, Shigematsu, Kei, Azuma, Masaki]
通讯作者：
Azuma, Masaki
共 26 条