课题基金 / 基金详情

Elucidation of the third element of tritium exposure, "decay effect", by molecular simulation

Elucidation of the third element of tritium exposure, "decay effect", by molecular simulation
通过分子模拟阐明氚暴露的第三种元素“衰变效应”
批准号：
21K19845
负责人：
FUJIWARA Susumu
金额：
$4.08万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21K19845/
关键词：
分子動力学シミュレーション反応力場トリチウムの壊変効果DNAの水和構造OHラジカルGeant4-DNA

项目摘要

项目成果

FUJIWARA Susumu的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Mechanism of DNA Damage by Tritium―Fluorescence Microscope Observation of Double-Strand Breaks and Simulation
氚损伤DNA的机制——双链断裂荧光显微镜观察与模拟
DOI： 10.11316/butsuri.77.1_35
发表时间： 2022
期刊： Butsuri
影响因子： --
作者： [藤原 進, 波多野 雄治, 中村 浩章]
通讯作者： 中村 浩章
トリチウム崩壊がDNA 構造の耐性に与える影響のMD シミュレーションによる評価
使用 MD 模拟评估氚衰变对 DNA 结构抵抗力的影响
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [Seikichi Matsuoka, Yasuhiro Idomura, Shinsuke Satake, 中村浩章]
通讯作者： 中村浩章
Evaluation of the effect of tritium decay on the tolerance of DNA structure by MD simulation
MD模拟评估氚衰变对DNA结构耐受性的影响
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [Kento Ishiguro, Hiroaki Nakamura, Shunsuke Usami, Susumu Fujiwara, Yuji Hatano]
通讯作者： Yuji Hatano
Effect of tritium beta decay in deoxy-D-ribose on duplex of telomeric DNA
脱氧-D-核糖中氚β衰变对端粒DNA双链体的影响
DOI： --
发表时间： 2021
期刊： Conference Proceedings of the 40th JSST Annual International Conference on Simulation Technology (JSST 2021)
影响因子： --
作者： [K. Ishiguro, H. Nakamura, T. Yasunaga, S. Fujiwara, T. Mizuguchi, A. Nakata, T. Miyazaki, T. Kenmotsu, Y. Hatano, S. Saito and Y. Yonetani]
通讯作者： S. Saito and Y. Yonetani
共 18 条
    Clarification of the mechanisms of surface melting and surface freezing in n-alkane thin films by large-scale molecular simulation
    • 批准号：
      22540419
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      FUJIWARA Susumu
    • 依托单位：
      Kyoto Institute of Technology