Clarification of the mechanisms of surface melting and surface freezing in n-alkane thin films by large-scale molecular simulation
通过大规模分子模拟阐明正烷烃薄膜的表面熔化和表面冻结机制
基本信息
- 批准号:22540419
- 负责人:
- 金额:$ 2.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
It is well known that n-alkanes exhibit surface freezing, where a solid monolayer forms at the surface of an isotropic liquid above its bulk melting temperature. This is a distinct contrast to a surface-melting phenomenon in the low-molecular substance. In this study, we investigated the melting processes of n-alkane thin films by molecular dynamics simulations. In the case of n-nonane, it is found that melting occurs from the surface, which indicates that n-nonane exhibits surface melting. In the case of n-nonadecane, on the other hand, we find a temperature range where the middle layer is in the molten states and both surface layers remain in the crystalline state (surface frozen state).
众所周知,N-烷烃表现出表面冷冻,其中固体单层在其大体熔化温度上方的各向同性液体的表面形成。这与低分子物质中的表面熔化现象形成了鲜明的对比。在这项研究中,我们通过分子动力学模拟研究了N烷烃薄膜的熔融过程。在N-nonane的情况下,发现熔化是从表面发生的,这表明N-硝基表现出表面熔化。另一方面,对于N-nonadecane,我们发现了一个温度范围,其中中间层位于熔融状态,并且两个表面层都保持在结晶状态(表面冷冻状态)。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Cavitation in the Static Melt of Polymers
聚合物静态熔体中的空化
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masato Hashimoto;Tomoko Mizuguchi and Susumu Fujiwara
- 通讯作者:Tomoko Mizuguchi and Susumu Fujiwara
双頭型両親媒性分子の相挙動:粗視化分子動力学シミュレーション
双头两亲分子的相行为:粗粒分子动力学模拟
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:宮田 匠;藤原 進;伊藤 孝;橋本 雅人
- 通讯作者:橋本 雅人
両親媒性溶液中におけるミセル形成とミセル形状変化の分子動力学シミュレーション
两亲溶液中胶束形成和胶束形状变化的分子动力学模拟
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤原 進;橋本 雅人;伊藤 孝
- 通讯作者:伊藤 孝
デンドリマー/線状高分子電解質複合体化の分子動力学シミュレーション
树枝状聚合物/线性聚电解质络合的分子动力学模拟
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:數野 輝;藤原 進;伊藤 孝;橋本 雅人
- 通讯作者:橋本 雅人
単一屈曲-半屈曲ジブロックコポリマー鎖の折り畳み転移に関するブラウン動力学シミュレーション
单弯曲-半弯曲二嵌段共聚物链折叠转变的布朗动力学模拟
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:黒澤 勇作;藤原 進;伊藤 孝;橋本 雅人;吉川 研一
- 通讯作者:吉川 研一
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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