权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Realization of oxide power device using Li-doped NiMgO single crystal grown by mist CVD method

雾气CVD法生长掺锂NiMgO单晶氧化物功率器件的实现

基本信息

批准号：
21KK0260
负责人：
池之上卓己
金额：
$ 9.9万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022 至 2023
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21KK0260/
关键词：
ミストCVD法岩塩構造ワイドギャップ酸化物酸化物半導体 NiMgO 岩塩構造

项目摘要

到着後、ただちにミストCVD法の成膜環境を整備した。これまでに報告した、NiOやNiMgOの成膜を高品質に行えることを確認した。本研究課題では、MgO基板と格子整合する岩塩構造のNi0-MgO-ZnO系に注目している。Ni0-MgO-ZnOの組成を適切に制御することで、MgO基板と格子整合したまま、バンドギャップを拡大できることを示した。このような研究はワイドギャップ半導体の中でも独創的なものである。NiOは希少なp型伝導性を示す酸化物半導体である。さらに、MgOとの混晶とすることで、バンドギャップを拡大できる。ただ、このNiMgOは未知の特性も多いため、Mg組成を制御したNiMgOについての詳細な評価を行っている。通常、NiOはスパッタリング法を用いてNi空孔によりキャリア濃度制御が行われることが多いが、ミストCVD法の特長を活かしたLiドーピングによるNiMgOの評価も併せて行っている。さらに、ワイドギャップ酸化物として有望とされるβ-Ga2O3とのデバイスについても検討している。まずは、β-Ga2O3基板上にミストCVD法で成長させたNiMgOとのヘテロ接合について評価を行った。また、MgO基板上にβ-Ga2O3をミストCVD法で成長させる技術を確立した。これにより、MgO基板上にNiOまたはNiMgOを形成した後にβ-Ga2O3を成長させるデバイスプロセスも可能になることが見込まれる。

To prepare the film formation environment for CVD process NiO and MgO film formation This study focuses on the Ni0-MgO-ZnO system of rock structure with MgO substrate and lattice integration. Ni0-MgO-ZnO is composed of MgO substrate and lattice. This is the first time that we've ever had a chance to do this. NiO is a p-type semiconductor. The crystal structure of MgO and MgO is very large. NiMgO has many unknown properties, and Mg composition is controlled by NiMgO. Generally, NiO is used in the preparation of NiMgO. The NiMgO is used in the preparation of NiMgO. In addition, it is expected that β-Ga2O3 and β-Ga2O3 will be added to the solution. NiMgO is grown on β-Ga2O3 substrates by CVD and evaluated for bonding. The growth technology of β-Ga2O3 on MgO substrate was established by CVD method. NiO on MgO substrate and growth of β-Ga2O3