Fabrication and evaluation of unexplored metastable phases using anomalous diffusion

使用反常扩散制备和评估未探索的亚稳态相

基本信息

  • 批准号:
    22K04203
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-01 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

本年度は申請書の計画スケジュールに沿って、直方晶AgTe成長条件の確立、埋め込み層の分離、物性評価を実施した。様々な手法にて直方晶AgTe作成に調整し、結晶相同定は電子線回折によっておこなった。結果として、大きく分けて2つの方法で作成に成功した。1つは、Agの微粒子をシードとするもので、Teのスパッタリングにより配向性の高い直方晶AgTe作成を確認できた。2つめはAg:Teを1:1に調整したターゲットによるスパッタリングによるもので、立方晶Ag5Te3が混在するものの、より大量に作成できた。埋め込み層の除去は真空下の熱アニールにより概ね達成した。190℃アニールにより、Teマトリックスが昇華したことを、TEMおよびX線回折測定により確認した。TEMでは埋め込み層であるアモルファスTeが除去され、1つめの手法では、直方晶AgTeの柱状構造が2つめの手法では、表面積の多い凸凹状が観測された。電子線回折では、本温度アニールでは、直方晶AgTeに加えて六方晶Ag5Te3が観測された。これは直方晶AgTeは準安定相であるので、5AgTe->Ag5Te3+2Teと熱分解が生じたためと考えられる。190度近傍が転移温度と考えられるので、物性評価は主に170℃でアニールした素子にて行った。物性評価としては、研究協力者の協力を得て、熱電特性評価を行い、パワーファクタの測定に成功した。また、ホール測定を行い、直方晶AgTeはn型であり、本作成手法によりキャリア濃度は10^15/cm^3程度であることがわかった。直方晶AgTeにおける初めてのキャリアタイプ同定になる。
This year's application form は の plan ス ケ ジ ュ ー ル に along っ て, straight Fang Jing AgTe の established growth conditions, buried め 込 の み layer separation, property evaluation 価 を be applied し た. In the same way, the 々な technique is used to make the にて square crystal AgTe into a に adjustment 々な, with the same crystallization and fixed <s:1> electron wire rewinding によってお なった. The result is that と て て and the large く く score けて2 た <s:1> method で is に successful た た. 1 つ の は, Ag particles を シ ー ド と す る も の で, Te の ス パ ッ タ リ ン グ に よ り with high の い straight to the sex Fang Jing AgTe made を confirm で き た. 2 つ め は Ag: Te を 1:1 に adjustment し た タ ー ゲ ッ ト に よ る ス パ ッ タ リ ン グ に よ る も の で, cubic Ag5Te3 が mixed す る も の の, よ り large に made で き た. The <s:1> layer is buried to <s:1> remove the <s:1> heat under <s:1> vacuum, アニ, <s:1>, によ and <s:1> approximately ね achieve <s:1> た. 190 ℃ ア ニ ー ル に よ り, Te マ ト リ ッ ク ス が sublimation し た こ と を, TEM お よ び X-ray determination of inflexion に よ り confirm し た. TEM で は buried め 込 み layer で あ る ア モ ル フ ァ ス Te が remove さ れ, 1 つ め の gimmick で は, straight Fang Jing AgTe の columnar structure が 2 つ め の gimmick で は, surface area の い convex-concave shape が 観 measuring さ れ た. The electronic wire is folded back to で で, the local temperature is アニ で で で, and the cube crystal AgTeに and えて hexagonal crystal Ag5Te3が観 are measured to された. こ れ は straight Fang Jing AgTe は quasi stable phase で あ る の で, 5 AgTe - > Ag5Te3 + 2 te と pyrolysis が raw じ た た め と exam え ら れ る. Move nearly 190 degrees alongside が planning temperature と exam え ら れ る の で, property evaluation 価 は に 170 ℃ で ア ニ ー ル し た element child に て line っ た. Property evaluation 価 と し て は, study together の together を て, thermoelectric properties evaluation 価 を い, パ ワ ー フ ァ ク タ の determination に successful し た. ま た, ホ ー ル determination を い, straight Fang Jing AgTe は n-type で あ り, the consummate gimmick に よ り キ ャ リ は ア concentration degree of 10 ^ 15 / cm ^ 3 で あ る こ と が わ か っ た. The cube crystal AgTeにおける initial めて キャリアタ キャリアタ プ プ determinate になる.

项目成果

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专著数量(0)
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专利数量(0)
Modulated conductive bridge memory characteristics by radio frequency input and non‐volatile switching of frequency multiplication
通过射频输入和倍频非易失性开关调制导电桥存储特性
  • DOI:
    10.1049/ell2.12601
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.1
  • 作者:
    Yin Yifei;Uchida Chihiro;Tsukamoto Keito;Hayashi Hitoshi;Nakaoka Toshihiro
  • 通讯作者:
    Nakaoka Toshihiro
Ag-Ge-Sb-Te系CBRAM におけるRF入力によるDC抵抗変化
基于 Ag-Ge-Sb-Te 的 CBRAM 中射频输入引起的直流电阻变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    殷 ユウヒ;塚本 慶人;林 等;中岡 俊裕
  • 通讯作者:
    中岡 俊裕
Researchmap
研究地图
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
RF入力によるAg-GeTe CBRAMのスイッチ電圧変化
RF 输入导致的 Ag-GeTe CBRAM 开关电压变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    殷 ユウヒ;塚本 慶人;林 等;中岡 俊裕
  • 通讯作者:
    中岡 俊裕
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

中岡 俊裕其他文献

気相法によるGeTeナノワイヤの結晶成長
气相法生长GeTe纳米线晶体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中谷 和希;今西 祐典;山口 瑛太;中岡 俊裕
  • 通讯作者:
    中岡 俊裕
GeTe薄膜におけるサイクリックボルタンメトリーとガンマ線照射の影響
循环伏安法和伽玛辐照对GeTe薄膜的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡部 達也;朴 孝晟;依田 功;正光 義則;川﨑 繁男;中岡 俊裕
  • 通讯作者:
    中岡 俊裕
InGaN/GaN堆積物除去と単一ナノコラム発光
InGaN/GaN 沉积物去除和单纳米柱发射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山本 貴利;前川 未知瑠;今西 佑典;関根 清登;澄川 雄樹;石沢 峻介;中岡 俊裕;岸野 克巳,
  • 通讯作者:
    岸野 克巳,
RF-MBE法によるEu添加GaN薄膜および自己形成ナノコラムにおけるゼーマン分裂
RF-MBE 法研究 Eu 掺杂 GaN 薄膜和自组装纳米柱的塞曼分裂
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    奥野 智大;小野田 稜太;関口 寛人;若原 昭浩;中岡 俊裕
  • 通讯作者:
    中岡 俊裕
GeSbTe薄膜におけるAgの電気化学反応 ーナノ構造形成から応用までー
GeSbTe 薄膜中 Ag 的电化学反应 - 从纳米结构形成到应用 -
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中岡 俊裕;渡部 達也;朴 孝晟;依田 功;正光 義則;川崎 繁男
  • 通讯作者:
    川崎 繁男

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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自己形成量子ドットにおけるg因子制御と単一スピンのコヒーレント操作
自组装量子点中单自旋的 G 因子控制和相干操纵
  • 批准号:
    17710115
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
マイクロマシンによる、歪、フォノンを介した量子ドット制御の研究
利用微机械通过应变和声子控制量子点的研究
  • 批准号:
    15710102
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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