Fabrication and evaluation of unexplored metastable phases using anomalous diffusion
使用反常扩散制备和评估未探索的亚稳态相
基本信息
- 批准号:22K04203
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度は申請書の計画スケジュールに沿って、直方晶AgTe成長条件の確立、埋め込み層の分離、物性評価を実施した。様々な手法にて直方晶AgTe作成に調整し、結晶相同定は電子線回折によっておこなった。結果として、大きく分けて2つの方法で作成に成功した。1つは、Agの微粒子をシードとするもので、Teのスパッタリングにより配向性の高い直方晶AgTe作成を確認できた。2つめはAg:Teを1:1に調整したターゲットによるスパッタリングによるもので、立方晶Ag5Te3が混在するものの、より大量に作成できた。埋め込み層の除去は真空下の熱アニールにより概ね達成した。190℃アニールにより、Teマトリックスが昇華したことを、TEMおよびX線回折測定により確認した。TEMでは埋め込み層であるアモルファスTeが除去され、1つめの手法では、直方晶AgTeの柱状構造が2つめの手法では、表面積の多い凸凹状が観測された。電子線回折では、本温度アニールでは、直方晶AgTeに加えて六方晶Ag5Te3が観測された。これは直方晶AgTeは準安定相であるので、5AgTe->Ag5Te3+2Teと熱分解が生じたためと考えられる。190度近傍が転移温度と考えられるので、物性評価は主に170℃でアニールした素子にて行った。物性評価としては、研究協力者の協力を得て、熱電特性評価を行い、パワーファクタの測定に成功した。また、ホール測定を行い、直方晶AgTeはn型であり、本作成手法によりキャリア濃度は10^15/cm^3程度であることがわかった。直方晶AgTeにおける初めてのキャリアタイプ同定になる。
This year, we apply for a plan to determine the conditions for the growth of AgTe, the separation of buried crystals, and the application of physical properties. By means of scanning electron microscope, the square crystal AgTe is used to make the rectifier, and the same fixed power line is folded back to make sure that the temperature is high. Results the results showed that the success rate of the two methods was successful. 1. The AgTe of Ag microparticles is used to confirm the alignment of microparticles, and the high square crystal AgTe is used to confirm the alignment. 2. The Ag:Te is 1:1, and the whole grain is made up of a large number of grains, such as the cubic Ag5Te3, which is mixed in a large quantity. If you bury it, you can get rid of it in a vacuum. At 190 ℃, the temperature is very high, the Te temperature is very high, and the TEM temperature is very high. The X-ray back-off test is used to confirm the accuracy. TEM
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Modulated conductive bridge memory characteristics by radio frequency input and non‐volatile switching of frequency multiplication
通过射频输入和倍频非易失性开关调制导电桥存储特性
- DOI:10.1049/ell2.12601
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:1.1
- 作者:Yin Yifei;Uchida Chihiro;Tsukamoto Keito;Hayashi Hitoshi;Nakaoka Toshihiro
- 通讯作者:Nakaoka Toshihiro
Ag-Ge-Sb-Te系CBRAM におけるRF入力によるDC抵抗変化
基于 Ag-Ge-Sb-Te 的 CBRAM 中射频输入引起的直流电阻变化
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:殷 ユウヒ;塚本 慶人;林 等;中岡 俊裕
- 通讯作者:中岡 俊裕
RF入力によるAg-GeTe CBRAMのスイッチ電圧変化
RF 输入导致的 Ag-GeTe CBRAM 开关电压变化
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:殷 ユウヒ;塚本 慶人;林 等;中岡 俊裕
- 通讯作者:中岡 俊裕
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