負誘電率周波数帯の表面電磁波共鳴を用いたテラヘルツイメージングの研究

负介电常数频段表面电磁共振太赫兹成像研究

• 批准号: 22K04940
• 负责人: 四方 潤一
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Nihon University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-04-01 至 2025-03-31
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22K04940/
• 关键词: テラヘルツ波; 表面電磁波共鳴; 負誘電率領域; スペクトル・ドリル法; イメージング

本年度は、表面フォノン放射型テラヘルツ波発生において対象とする非線形光学結晶と表面回折格子の設計を明らかにするため、まず有限要素解析による表面フォノン放射の解析手法確立に取り組んだ。非線形光学材料にはテラヘルツ波発生に実績をもつニオブ酸リチウム結晶、光学フォノンモードにはA1対称モードを選定して負誘電率領域における固有値解析を行った。その結果、理論から予測されるP偏光成分のみ表面フォノン放射が起こることが確かめられ、解析手法の妥当性を確認した。さらに周波数を掃引して放射されたテラヘルツ波の自由伝搬方向を解析することにより分散特性を明らかにすることに成功し、非線形光学材料選定への基盤を得た。また本課題では表面フォノンをファブリペロー共振器に閉じ込め、その内部に幾何学的位相シフタを配置してスペクトルドリル共振器とし、発生するテラヘルツ波の狭線幅化と周波数掃引が可能であるかを調査する。ここで発生波長は光学フォノン周波数に対応することから、従来のスペクトルドリルに対して根本から設計を見直す必要がある。そこで本年度はそのために幾何学的位相シフタに必要な条件についての検討を進めるとともに、各所属に有するテラヘルツ波光学実験系の整備を進めた。一方デバイス製作においては、強誘電体であるニオブ酸リチウム結晶の凹凸構造の形成において、チャージアップの問題から反応性イオンエッチングが困難であることを確認している。この技術的課題を克服するためにはウエットエッチングが有効である可能性が高いと考えており、利用可能な試薬の調査と微細加工プロセスの条件出しを進めた。また、テラヘルツイメージング用の測定試料として作製条件の異なる複数のAl/Si/SiO2構造を作製し、金属誘起結晶化による多結晶Si薄膜成長過程の構造変化を顕微鏡、X線回折及びX線光電子分光を用いた実験的調査を進めた。

This year, the analysis method of surface radiation was established for the design of nonlinear optical crystals and surface reflection lattices. Non-linear optical materials have been selected for their inherent analysis in the field of negative permittivity. The results, theoretical predictions, and analytical methods were confirmed. The number of cycles is swept away, and the free transfer direction of the wave is analyzed. The dispersion characteristics of the wave are determined. The subject of this paper is to investigate the possibility of narrow amplitude cyclic wave number scanning of the surface wave, the internal geometry of the resonator, and the configuration of the resonator. The wavelength of the emission is necessary for the fundamental design of the optical system. This year, the phase of geometry is necessary for the development of the optical system. The problem of forming uneven structure of crystals in the production of strong electret is difficult to confirm. The problem of this technology is to overcome the high possibility of investigation and micromachining. The structural transformation of polycrystalline Si thin film growth process was investigated by microscopy, X-ray reflection and X-ray photoelectron spectroscopy.

项目成果

シリコン基板で遮蔽された金属微細パターンの近赤外イメージング

硅基板屏蔽的金属微图案的近红外成像

• 发表时间: 2022
• 作者: 犬塚大介;四方潤一;大野誠吾
• 通讯作者: 大野誠吾

Al，Au/Ta2O5/Ta 構造における電気伝導機構

Al、Au/Ta2O5/Ta结构的导电机制

• 发表时间: 2022
• 作者: 清田将生;四方潤一;大野誠吾;俵毅彦;伊藤匠生，池田正則
• 通讯作者: 伊藤匠生，池田正則

Laser oscillation of spectral drill cavity including gain media

包括增益介质的光谱钻腔的激光振荡

• 发表时间: 2022
• 作者: Seigo Ohno;Katsuhiko Miyamoto;Shin’ichiro Hayashi;Yoshiharu Urata;and Norihiko Seikine
• 通讯作者: and Norihiko Seikine

高確度テラヘルツ光発生のための光周波数制御

用于高精度太赫兹光产生的光学频率控制

• 发表时间: 2023
• 作者: Y. Tokizane;S. Ohno;Y. Takida;J. Shikata;and H. Minamide;林伸一郎, 大野誠吾, 宮本克彦, 浦田佳治, 関根徳彦
• 通讯作者: 林伸一郎, 大野誠吾, 宮本克彦, 浦田佳治, 関根徳彦

AD/DA変換器を用いた微弱光のロックイン検出

使用 AD/DA 转换器进行微弱光锁定检测

• 发表时间: 2022
• 作者: 岩﨑一;四方潤一
• 通讯作者: 四方潤一