Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
基于Ge-On-Insulator衬底的MIS型近红外发光器件的研发
批准号：
23K03927
负责人：
王 冬
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
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国内基金
海外基金
改善LaF3栅MIS型固态氧传感器特性的研究
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批准号：69176032
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项目类别：面上项目
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资助金额：4.0万元
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批准年份：1991
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负责人：牛文成
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依托单位：
