Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
基于Ge-On-Insulator衬底的MIS型近红外发光器件的研发
基本信息
- 批准号:23K03927
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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王 冬其他文献
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永冨 雄太;長岡 裕一;山本 圭介;王 冬;中島 寛;Shun Saito - 通讯作者:
Shun Saito
王 冬的其他文献
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相似国自然基金
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