Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発

基于Ge-On-Insulator衬底的MIS型近红外发光器件的研发

基本信息

  • 批准号:
    23K03927
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

王 冬其他文献

超伝導半導体接合でのマヨラナ粒子の実験
马约拉纳粒子在超导半导体结中的实验
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松尾 拓朗;山本 圭介;王 冬;松尾貞茂
  • 通讯作者:
    松尾貞茂
GeスピンMOSFET実現に向けた低温(~250℃)デバイスプロセスの構築
构建低温(~250℃)器件工艺以实现Ge自旋MOSFET
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    那須 新悟;松尾 拓朗;山本 圭介;王 冬
  • 通讯作者:
    王 冬
ナノ結晶欠陥導入による希土類系超伝導薄膜の高性能化
通过引入纳米晶缺陷提高稀土超导薄膜的性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山本 圭介;原田 健司;楊 海貴;王 冬;中島 寛;森嶋 翔也,脇坂 暢,Donald A. Tryk,渡辺 政廣,内田 裕之;藤田夏斗,春田正和,一瀬中,堀井滋
  • 通讯作者:
    藤田夏斗,春田正和,一瀬中,堀井滋
Modeling and Measuring The Large-Scale Galaxy Clustering in Redshift Space
红移空间中大规模星系团的建模和测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永冨 雄太;長岡 裕一;山本 圭介;王 冬;中島 寛;Shun Saito
  • 通讯作者:
    Shun Saito
非線形重力進化による 非局所ハローバイアス
非线性引力演化导致的非局域光晕偏差
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永冨 雄太;長岡 裕一;山本 圭介;王 冬;中島 寛;Shun Saito;斎藤 俊
  • 通讯作者:
    斎藤 俊

王 冬的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似国自然基金

改善LaF3栅MIS型固态氧传感器特性的研究
  • 批准号:
    69176032
  • 批准年份:
    1991
  • 资助金额:
    4.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

REGULATION OF MIS TYPE II RECEPTOR AND TARGET GENES
MIS II 型受体和靶基因的调控
  • 批准号:
    6376932
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
REGULATION OF MIS TYPE II RECEPTOR AND TARGET GENES
MIS II 型受体和靶基因的调控
  • 批准号:
    2896740
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
REGULATION OF MIS TYPE II RECEPTOR AND TARGET GENES
MIS II 型受体和靶基因的调控
  • 批准号:
    2722990
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
REGULATION OF MIS TYPE II RECEPTOR AND TARGET GENES
MIS II 型受体和靶基因的调控
  • 批准号:
    6513201
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
REGULATION OF MIS TYPE II RECEPTOR AND TARGET GENES
MIS II 型受体和靶基因的调控
  • 批准号:
    6173880
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
MOLECULAR CHARACTERIZATION OF THE MIS TYPE II RECEPTOR
MIS II 型受体的分子表征
  • 批准号:
    2378466
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
電子管集積回路用MIS型トンネル冷陰極へのダイヤモンド薄膜の応用
金刚石薄膜在电子管集成电路MIS型隧道冷阴极中的应用
  • 批准号:
    08650403
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
界面の制御によるMIS型太陽電池の高効率化
通过控制界面提高MIS太阳能电池的效率
  • 批准号:
    08218241
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
MOLECULAR CHARACTERIZATION OF THE MIS TYPE II RECEPTOR
MIS II 型受体的分子表征
  • 批准号:
    2196368
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
MOLECULAR CHARACTERIZATION OF THE MIS TYPE II RECEPTOR
MIS II 型受体的分子表征
  • 批准号:
    2196367
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了