Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
基于Ge-On-Insulator衬底的MIS型近红外发光器件的研发
基本信息
- 批准号:23K03927
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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王 冬其他文献
GeスピンMOSFET実現に向けた低温(~250℃)デバイスプロセスの構築
构建低温(~250℃)器件工艺以实现Ge自旋MOSFET
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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王 冬
ナノ結晶欠陥導入による希土類系超伝導薄膜の高性能化
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- 发表时间:
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藤田夏斗,春田正和,一瀬中,堀井滋
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- 发表时间:
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Modeling and Measuring The Large-Scale Galaxy Clustering in Redshift Space
红移空间中大规模星系团的建模和测量
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
永冨 雄太;長岡 裕一;山本 圭介;王 冬;中島 寛;Shun Saito - 通讯作者:
Shun Saito
王 冬的其他文献
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相似国自然基金
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- 批准号:69176032
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相似海外基金
A Randomised Evaluation of the Appropriateness of Anatomic Coronary Investigation in Cardiac Injury/MI Type 2
2 型心脏损伤/心肌梗塞中解剖冠状动脉检查适当性的随机评估
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A Randomised Evaluation of the Appropriateness of Anatomic Coronary Investigation in Cardiac Injury/MI Type 2
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