ヘリウムフリーμMRI実現を目指した多重加熱法によるMgB2超伝導接合の臨界電流改善
多次加热提高MgB2超导结临界电流实现无氦μMRI
基本信息
- 批准号:23K03947
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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竹屋 浩幸,高野 義彦
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- 批准号:
21H00907 - 财政年份:2021
- 资助金额:
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ダイヤモンドMOSFETの少数キャリア輸送特性改善と積算線量計への応用
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18J01909 - 财政年份:2018
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