界面構造最適化による窒化物半導体デバイス型水素センサの高性能化
通过优化界面结构提高氮化物半导体器件型氢传感器性能
基本信息
- 批准号:23K03949
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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