界面構造最適化による窒化物半導体デバイス型水素センサの高性能化
界面構造最適化による窒化物半導体デバイス型水素センサの高性能化
通过优化界面结构提高氮化物半导体器件型氢传感器性能
批准号：
23K03949
负责人：
色川 芳宏
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
界面制御による窒化ガリウムパワートランジスタの高性能化
-
批准号：20K04587
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$2.75万
-
财政年份：2020
-
负责人：色川 芳宏
-
依托单位：
海外基金
