レーザー・テラヘルツ波計測による強誘電体薄膜界面半導体の表面ポテンシャル分布決定

通过激光和太赫兹波测量确定铁电薄膜界面半导体的表面电位分布

基本信息

  • 批准号:
    23K03954
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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    鈴木 健仁
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  • 通讯作者:
    徳田 安紀
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    高野 恵介

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