レーザー・テラヘルツ波計測による強誘電体薄膜界面半導体の表面ポテンシャル分布決定
レーザー・テラヘルツ波計測による強誘電体薄膜界面半導体の表面ポテンシャル分布決定
通过激光和太赫兹波测量确定铁电薄膜界面半导体的表面电位分布
批准号：
23K03954
负责人：
高野 恵介
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
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会议论文
Highly efficient terahertz frequency conversion at temporal boundary using self-complementary metallic structures
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批准号：22K20493
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项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额：$1.83万
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财政年份：2022
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负责人：高野 恵介
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依托单位：
海外基金
