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イオン注入化合物半導体のレーザーアニール層での少数キャリア寿命測定
离子注入化合物半导体激光退火层少数载流子寿命测量
基本信息
- 批准号：56750011
- 负责人：
- 金额：$ 0.51万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1981
- 资助国家：日本
- 起止时间：1981 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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