イオン注入化合物半導体のレーザーアニール層での少数キャリア寿命測定
イオン注入化合物半導体のレーザーアニール層での少数キャリア寿命測定
离子注入化合物半导体激光退火层少数载流子寿命测量
批准号：
56750011
负责人：
高井 幹夫
金额：
$0.51万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1981
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1981 至 --
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会议论文
電子素子用半導体材料のイオンビーム改質と分析
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批准号：01F00767
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.28万
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财政年份：2001
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负责人：高井 幹夫
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依托单位：
ダイオード励起UV(紫外)レーザー光による半導体表面の超高空クリーニング
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批准号：97F00227
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.9万
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财政年份：1998
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负责人：高井 幹夫
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依托单位：
レーザーによる化合物半導体のマスクレス微細加工
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批准号：58750237
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1983
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负责人：高井 幹夫
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依托单位：
GaAsにおける少数キャリア寿命の2次元マッピング
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批准号：57750251
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.45万
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财政年份：1982
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负责人：高井 幹夫
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依托单位：