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急冷により高純度Ge中に導入された新しい浅いアクセプタ型欠陥の同定

急冷により高純度Ge中に導入された新しい浅いアクセプタ型欠陥の同定
快速冷却高纯Ge中引入的新浅受主型缺陷的识别
批准号:
X00210----474134
负责人:
上浦 洋一
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1979
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1979 至 --
关键词:

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荷電制御による原子操作
  • 批准号:
    11222203
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
  • 资助金额:
    $36.22万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    上浦 洋一
  • 依托单位: