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荷電制御による原子操作

通过电荷控制来操纵原子

基本信息

批准号：
11222203
负责人：
上浦洋一
金额：
$ 36.22万
依托单位：
Okayama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2001
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、種々の電子励起効果のうちで、イオン化による荷電状態変化の効果に焦点を絞り、これによる欠陥の生成、局所構造変化、分解、移動など原子移動の機構を実験的・理論的に解明し、それを利用して原子移動を制御することを目的とし、Si, SiO_2,Ge, GaAs, GaN系結晶やデバイス構造中の点欠陥、転位、水素関連欠陥を対象として研究を行い、以下のような知見を得た。1.Si中水素炭素複合欠陥の電子準位の応力依存性を測定し、欠陥の圧電定数を決定した。炭素近傍での水素の局所移動の活性化エネルギーと前置因子に対する水素の同位元素効果と荷電効果を明らかにし、その機構を欠陥電子状態のLCAOモデルを用いて研究した。2.Si中の水素一白金複合欠陥の対称性と欠陥構造を決定した。白金近傍での水素の局所移動に対する荷電効果を研究し、その効果が炭素近傍での運動とは全く逆であることを明らかにした。3.Si中の水素と点欠陥,不純物との複合欠陥を光吸収法により同定し、その性質を研究した。4.SiGe層の上に成長したErドープSiエピ膜中でErに関連した中心の発光スペクトルを観測し、その発光強度がSiエピ膜中に内在する引っ張り応力によって増強することを明らかにした。5.Si, Ge, GaAs中、Si_<1-x>Ge_x/Siヘテロエピ膜中の転位運動に対する水素の影響を検討した結果、水素が転位の電子状態に影響し、それが運動促進効果の原因となることを明らかにした。6.SiO_2中の欠陥の電子状態と構造に対するNドープの効果を理論的に研究した。7.GaN中の水素-マグネシウム・ペアーの安定性が高温での水素プラズマ処理により高くなることを見出した。8.DRAMの漏れ電流に関係する欠陥を電気的検出磁気共鳴(EDMR)法により研究した。

In this paper, we study the effect of electron excitation on the change of charge state, focus, formation, structure, transformation, decomposition, movement and mechanism of atomic movement. We study the theoretical solution of the effect of electron excitation on the change of charge state in Si, SiO_2, Ge, GaAs and GaN crystals. The water element is not related to the image and the research is carried out, and the following knowledge is obtained. 1. Determination of the force dependence of electron level of water-carbon complex in Si and determination of voltage determination of complex. The activation of local movement of water element in the vicinity of carbon is studied in the light of the specific effect of water element on charge and the mechanism of LCAO in the electron state. 2. The symmetry and structure of the water-platinum complex in Si are determined. A study on the effect of charge on the movement of water elements in the vicinity of platinum and the effect on the movement of carbon in the vicinity of platinum and carbon in the vicinity of platinum in the vicinity of platinum and carbon in the vicinity of platinum in the vicinity of platinum and carbon in the vicinity of platinum. 3. Study on the properties of impurities in Si by optical absorption method. 4. In the SiGe layer grown on top of the Si film, the emission intensity of the Si film increases due to the increase in tensile force. 5. Si, Ge, GaAs and Si_<1-x>Ge_x/Si films are characterized by the effect of water element on the electronic state of Si, Ge, GaAs and Si_Ge. 6. Theoretical study on the electronic state and structure of SiO_2 7. The stability of GaN in the process of hydration is higher than that in the process of hydration at high temperature. 8. Study on the relationship between DRAM leakage current and current deficiency by EDMR method.