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対向ターゲット式スパッタ法によるミリ波帯素子用の高配向バリウムフェライト膜の作製

対向ターゲット式スパッタ法によるミリ波帯素子用の高配向バリウムフェライト膜の作製
面向靶溅射法制备毫米波器件用高取向钡铁氧体薄膜
批准号：
58750228
负责人：
星 陽一
金额：
$0.64万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1983
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1983 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-58750228/
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対向ターゲット式高速スパッタ法による高飽和磁化人工格子軟磁性薄膜の開発
  • 批准号：
    63750302
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1988
  • 负责人：
    星 陽一
  • 依托单位：
    Tokyo Polytechnic University
高速スパッタ法による高飽和磁束密度Fe-Co系合金軟磁性薄膜の開発
  • 批准号：
    62750270
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1987
  • 负责人：
    星 陽一
  • 依托单位：
    Tokyo Polytechnic University
対向ターゲット式スパッタ法による垂直磁気記録用配化鉄薄膜媒体の高速形成
  • 批准号：
    60750281
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1985
  • 负责人：
    星 陽一
  • 依托单位：
    Tokyo Polytechnic University
高臨界温度 Nb_3(Ge, Si)薄膜を用いた高温動作ジョゼフソン素子の作製
  • 批准号：
    59750219
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    星 陽一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology