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深い準位を含む半絶縁性結晶の補償機構

深い準位を含む半絶縁性結晶の補償機構
深能级半绝缘晶体的补偿机制
批准号：
58750242
负责人：
橋詰 保
金额：
$0.58万
依托单位：
Kushiro National College of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1983
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1983 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-58750242/
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III族窒化物半導体混晶の欠陥準位・表面準位の評価と制御
  • 批准号：
    19032001
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $5.57万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    橋詰 保
  • 依托单位：
    Hokkaido University
電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構
  • 批准号：
    11118202
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    橋詰 保
  • 依托单位：
    Hokkaido University
電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構
  • 批准号：
    10131201
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.15万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    橋詰 保
  • 依托单位：
    Hokkaido University
電気化学プロセスを利用したショットキー接合形成における溶液/半導体界面の反応機構
  • 批准号：
    09237201
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    橋詰 保
  • 依托单位：
    Hokkaido University