シリコン表面における初期酸化過程の解明
シリコン表面における初期酸化過程の解明
阐明硅表面的初始氧化过程
批准号：
97J01579
负责人：
大毛利 健治
金额：
$1.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 1999
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超平滑界面の耐熱性シリサイド薄膜を用いたメタルソース・ドレインMOSFETの研究
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批准号：20035013
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$3.33万
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财政年份：2008
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负责人：大毛利 健治
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依托单位：
新材料ゲートスタック構造に向けた超高速一斉デバイス特性評価手法の開発
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批准号：19026014
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$1.54万
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财政年份：2007
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负责人：大毛利 健治
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依托单位：