Terahertz-Photoleiter mit separierten Rekombinations-Schichten (SepaRek-Schichten)

具有分离复合层（SepaRek 层）的太赫兹光电导体

• 批准号: 72865635
• 负责人: Professor Dr. Martin Koch
• 金额: --
• 依托单位: Fraunhofer-Institut für Nachrichtentechnik, Heinrich-Hertz-Institut (HHI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2007-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/72865635?language=en
• 关键词: Terahertz; Photoleiter; mit; separierten; Rekombinations

Im Rahmen des Projekts sollen neuartige Photoleiter für THz Anwendungen entwickelt werden, die verbesserte Eigenschaften im Vergleich zu konventionellen Materialien aufweisen und für den Betrieb bei der Telekommunikationswellenlänge von 1,5um geeignet sind. Die Grundidee ist die Nutzung von vom Photoleiter separierten Rekombinationsschichten (SepaRek). Während der Photoleiter auf hohe Ladungsträgermobilität optimiert wird, bieten die SepaRek-Schichten ultrakurze Rekombinationszeiten. Um einen schnellen Abzug der Ladungsträger aus dem Photoleiter zu erreichen wird dieser auf wenige nm Dicke begrenzt und zwischen SepaRek-Schichten eingebettet. Das Prinzip kann als Invertierung des HEMT gesehen werden, nur dass hier Ladungsträger nicht in einen leitfähigen Kanal injiziert sondern aus diesem entfernt werden. Die Realisierung basiert auf InGaAs/lnAIAs Schichtfolgen, die bei tiefen Temperaturen in einer MBE Anlage gewachsen werden. Schwerpunkte des Projektes sind 1. die Entwicklung und Optimierung der Wachstumsprozesse, 2. Modellierung und Charakterisierung der Photoleit-Dynamik und 3. die Evaluierung von photoleitenden SepaRek Antennen in einem THz-Testbett.

Im Rahmen des Projekts sollen neuartige Photoleiter für THz Anwendungen entwickelt韦尔登，die verbesserte Eigenschaften im Vergleich zu conventionellen Materialien aufweisen und für den Betrieb bei der Telekomarkationswellenlänge von 1，5um geeignet sind.基本原理是从照相分离器分离的混合物（SepaRek）。如果将照相机放置在最佳位置，则可以使用分离-Schichten ultrakurze Rekombinationszeiten。在迪凯的右边有一个从照相机上取下的拉登斯特雷格，然后用两个分离器分离。这一原理可以使HEMT的反转韦尔登显现出来，但在一个小的通道中，电流不会从该韦尔登中产生。基于InGaAs/InAlAs薄膜的实现，在一个MBE衬底上实现了温度的提高，这是一个韦尔登。Schwerpunkte des Projektes sind 1. die Entwicklung und Optimierung der Wachstumsprozesse，2. Photoleit-Dynamik和3. THZ测试中的光致分离性能评估。

项目成果

Photoluminescence study of (GaIn)As/(AlIn)As-based THz antenna materials for 1.55μm excitation

(GaIn)As/(AlIn)As基太赫兹天线材料的1 55μm激发光致发光研究

• DOI: 10.1016/j.jlumin.2013.02.022
• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of Luminescence
• 影响因子: 3.6
• 作者: T. Jung;R. Dietz;A. Chemikov;F. Kuik;B. Sartorius;M. Schell;M. Koch;S. Chatterjee
• 通讯作者: S. Chatterjee