Photoluminescence study of (GaIn)As/(AlIn)As-based THz antenna materials for 1.55μm excitation
Photoluminescence study of (GaIn)As/(AlIn)As-based THz antenna materials for 1.55μm excitation
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(GaIn)As/(AlIn)As基太赫兹天线材料的1 55μm激发光致发光研究
DOI：
10.1016/j.jlumin.2013.02.022
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发表时间：
2013
影响因子：
3.6
通讯作者：
S. Chatterjee
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Jung;R. Dietz;A. Chemikov;F. Kuik;B. Sartorius;M. Schell;M. Koch;S. Chatterjee
通过光致发光光谱研究了 (GaIn)As/(AlIn)As 异质结构中局部化和无序的影响，该异质结构具有空间分离的光电导和复合区域，被设计为 1.55μm 电信应用太赫兹天线的材料。研究了一系列具有不同生长温度的样品的发射作为晶格温度的函数。应变引起的紊乱被认为是对载流子定位的主要贡献。此外，不均匀展宽以及 PL 强度受到势垒材料中杂质密度的强烈影响。作为太赫兹天线材料的最佳配置是在 375°C 的生长温度下实现的。
The influence of localization and disorder in (GaIn)As/(AlIn)As heterostructures with spatially separated photoconductive and recombination regions designed as a material for THz antennas for telecom applications at 1.55μm is investigated by photoluminescence spectroscopy. The emission is studied as a function of lattice temperature for a series of samples with different growth temperatures. Strain-induced disorder is identified as the main contribution to carrier localization. In addition, inhomogeneous broadening as well as PL intensity is strongly influenced by the impurity density in the barrier material. The optimal configuration as THz antenna material is achieved at a growth temperature of 375°C.
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