完全自己整合型ダブルゲートシリコン薄膜トランジスタの試作研究

全自对准双栅硅薄膜晶体管原型研究

• 批准号: 08750403
• 负责人: 牧平 憲治
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750403/
• 关键词: シリコン薄膜トランジスタ; ダブルゲートトランジスタ; Silicon On Insulator

シリコン薄膜トランジスタのゲートをシリコン活性層の上下に設けたダブルゲート構造をもつダブルゲートシリコン薄膜トランジスタについての研究を行った。この構造を作製するときに上下のゲートを精度良くアライメントをおこなうことがデバイス作製上もっとも重要となってくる。そこで本研究ではまずこの上下ゲートのアライメント誤差がトランジスタ特性に及ぼす影響を調べた。この結果、アライメント誤差がゲート長の10%以下の場合でもトランジスタのドレイン電流が約40%も変化することがわかった。また、このトランジスタについての電界強度分布を調べたところ、ゲートがソース側にシフトしている場合によりゲート絶縁膜中の電界が強くなり、その結果チャネルに誘起されるキャリアが増大することがわかった。このことを利用し、より電流駆動能力を向上させたデバイス構造として上下ゲートをソース側にシフトさせたゲートオフセット構造をもつダブルゲートトランジスタを提案した。この構造を用いることにによって、ゲート長の10%程度のオフセットでもトランジスタのドレイン電流を30〜40%増加することができ、さらにアライメント誤差が生じた場合にもそれによる電流変動は10%程度におさえることができることがわかった。また、ドレイン近傍のインパクトイオン化が大きくなっているにもかかわらず、ドレイン耐圧が向上したように見え、トランジスタ特性がより向上することもわかった。

シリコン film トランジスタのゲートをシリコン active layer upper and lower set けたダブルゲートSTRUCTURE をもつダブルゲートシリコン Film トランジスタについての Research を行った.このstructuralをproductionするときにupper and lowerのゲートをgood precisionくアライメントをおこなうことがデバイス上もっともimportant となってくる.そこでThis study focuses on the upper and lower ゲートのアライメントerror and がトランジスタ characteristics に and ぼすeffect を Adjustment べた. When the result is less than 10% of the error of the アライメントがゲート length, it is the case About 40% of the ランジスタのドレインcurrent is used.また、このトランジスタについてのelectricity intensity distributionべたところ、ゲートがソースlateral にシフトしているoccasionによりゲート縁中的电界が强くなり、そのRESULTチャThe ネルに induces the big することがわかった.このことをUse し, よりcurrent 槆kinetic ability をUP させたデバイス structure としてUP and DOWN ゲートをソースlateral にシフトさせたゲートオフセットstructural をもつダブルゲートトランジスタを proposal した.このstructural use of いることにによって, ゲートlength 10% degree of のオフセットでもトランジスタのドレインcurrentを30~40% increaseすることができ、さらにアライメントErrorが生じたoccasionにもそれによThe electric current changes at a level of 10%.また、ドレインaroundのインパクトイオン化が大きくなっているにもかかわらず、ドレインresistant pressure が上したように见え, トランジスタ characteristics がより上することもわかった.