水素終端されたシリコン上の超微粒子の成長メカニズム

氢封端硅上超细颗粒的生长机理

• 批准号: 08750013
• 负责人: 大島 義文
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750013/
• 关键词: 水素終端; 超微粒子

本研究を達成するため、以下に上げる2点について実験を行い、成果をおさめた。ひとつは、透過型電子顕微鏡で観察を行うため、清浄な表面をもった厚さ10nm程度の薄い薄膜を作成することである。試料作成方法、試料の固定方法、シニング方法などノウハウを確立し、清浄な表面をもつシリコン薄膜を観察できるようにした。もう一つは、微粒子作成方法の検討である。平坦な表面持つ材料としてグラファイトを選び、グラファイト基板にクロムを数nm程度蒸着することを試みた。蒸着方法としては、electron bombardment方式を採用した。これは、クロムが高融点金属であるためである。蒸着装置を作製し、基板温度300度でクロムを蒸着したところ、結晶構造がA15型で微粒子が生成していることがわかった。得られた像は、パソコンに入力し、形状や格子間隔の測定を行った。これにより、クロム微粒子は、グラフィアイト基板にエピタキシャル成長していることがわかった。

This study was conducted on the basis of the following 2 points: The transmission electron microscope is used to observe the surface of the film, and the thickness is about 10nm. Sample preparation method, sample fixing method, sample preparation method, sample preparation method, sample preparation The method of making fine particles is discussed. Flat surface support material selection, substrate selection, evaporation to a few nm level The method of evaporation and electron bombardment is adopted.これは、クロムが高融点金属であるためである。The evaporation device is operated at a substrate temperature of 300 degrees Celsius, and the crystal structure is A15-type. To determine the distance between the images and the shapes The micro-particles were grown on the substrate.