Evaluation and application of charge to spin conversion in topological crystalline insulators
拓扑晶体绝缘体中电荷自旋转换的评价及应用
基本信息
- 批准号:22KJ1719
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-03-08 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
トポロジカル結晶絶縁体材料であるPbSnTeにおける、非線形ホール効果の観測とその制御に成功した。トポロジカル結晶絶縁体とは表面状態が結晶対称性により現れる材料である。PbSnTeはトポロジカル結晶絶縁体と同時に強誘電性を有する物質でもある。強誘電性の分極を制御することで結晶対称性に起因するトポロジカル表面状態を制御した。具体的にはベリー曲率ダイポールという近年提案された物理量がPbSnTeで存在することを非線形ホール効果を介して確認し、電界による分極の制御によりベリー曲率ダイポールの向きをスイッチングした。ベリー曲率ダイポールのスイッチングはこれまでゲート電界などによる外場で制御した報告があったが、本研究でのスイッチングは材料固有の分極による制御であり、不揮発にスイッチングした状態を保てる点に特徴がある。加えて、このベリー曲率ダイポールの不揮発性スイッチング効果を室温でも観測している。5Kで測定されたベリー曲率ダイポールの大きさは160nmであり、これはこれまでWTe2やMoS2で観測された値より1桁以上大きな値を示した。トポロジカル結晶絶縁体の表面状態由来のディラック分散がこの大きな値に寄与している可能性がある。本成果はトポロジカル材料の物理的性質を不揮発に室温で制御することに成功した成果であり、トポロジカル材料の応用可能性の道を開くものである。
PbSnTe is a crystalline insulator material, and its non-linear properties have been successfully tested and controlled. The crystal insulation is in a state of symmetry. PbSnTe is a crystalline insulator and a highly inductive substance. The polarization of strong inductivity is controlled by the crystal symmetry. In recent years, the physical quantity PbSnTe has been proposed as a non-linear medium to confirm the control of polarization in the electric field. In this study, the characteristics of the material's inherent polarization were studied. Add heat, heat and humidity, and heat and humidity. 5K measurement of the curvature of the 160nm measurement of the WTe2 MoS2 The origin of the surface state of the crystalline insulator is different from that of the dispersion. The results show that the physical properties of these materials do not change at room temperature.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Demonstration of Ferroic Behavior of Berry Curvature Dipole in a Topological Crystalline Insulator at 300 K
300 K 拓扑晶体绝缘体中贝里曲率偶极子的铁性行为演示
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Taiki Nishijima;Takuto Watanabe;Hiroaki Sekiguchi;Yuichiro Ando;Ei Shigematsu;Ryo Ohshima;Shinji Kuroda;Masashi Shiraishi
- 通讯作者:Masashi Shiraishi
Nonvolatile Switching of Berry Curvature Dipole in a Topological Crystalline Insulator at Room Temperature
室温拓扑晶体绝缘体中贝里曲率偶极子的非易失性切换
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nishijima Taiki;Watanabe Takuto;Sekiguchi Hiroaki;Ando Yuichiro;Shigematsu Ei;Ohshima Ryo;Kuroda Shinji;Shiraishi Masashi
- 通讯作者:Shiraishi Masashi
In-plane Nonlinear Hall Response in Rock-Salt Structure Topological Crystalline Insulator
岩盐结构拓扑晶体绝缘体中的面内非线性霍尔响应
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Nishijima;E. Shigematsu;R. Ohshima;Y. Ando and M. Shiraishi
- 通讯作者:Y. Ando and M. Shiraishi
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相似海外基金
磁気圧電効果と非線形ホール効果による奇パリティ多極子秩序の検証
利用磁压电效应和非线性霍尔效应验证奇宇称多极级数
- 批准号:
23K03294 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)