バッテリーフリー・長寿命有機薄膜センサ回路の実現

实现无电池、长寿命有机薄膜传感器电路

基本信息

  • 批准号:
    22KJ1737
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-03-08 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

有機薄膜トランジスタ(OTFT)は紙やフィルムといった物理的に柔軟な基板上に回路を作製できるため,フレキシブルセンサ等の回路への応用が期待されている.フレキシブルセンサ回路では,センサ素子に加えて取得したデータを保存する記憶素子や,演算処理を行うプロセッサが必要となる.そこで,本研究では,センサシステムにおけるOTFT回路応用に向けて抵抗変化型メモリ(ReRAM)及び,機能回路に関しては,スパイキングニューラルネットワーク(Spiking neural network; SNN)回路の実装の検討を行う.ReRAMは金属酸化物と金属の積層により構成され,外部電流により金属酸化物内部に電流経路を作り出すことで抵抗を変化させて値を保持する素子である.OTFTの低コストで物理的に柔軟な基板上に回路を集積できる性質を損なわずにReRAMを実現するためにはOTFTの製造プロセス中にReRAMの製造を組み込めることが望ましい.そこで,本研究ではOTFTを構成する材料・作製プロセスのみでReRAMを試作した.実測により,提案ReRAMは多値を保存可能な記憶素子として動作可能であることが確認できた.SNN回路は,シナプス及びニューロンにより構成される回路であり,シナプスには記憶素子を用いるため,通常追加の製造プロセスの導入が必要となり製造コストの増加が懸念される.そこで提案SNN回路では,シナプスをOTFTを構成する材料・作製プロセスのみで構成し,SNN回路全体をOTFT製造プロセスのみで作製可能とした.回路シミュレーションを行い,MNISTデータセットにおける推論精度の検証において高い精度を得られることを確認した.
Organic thin film (OTFT) is expected to be used in the manufacture of circuits on flexible substrates. The memory element is stored in the memory element, and the arithmetic processing is necessary. In this study, the OTFT circuit application direction is to resist the transformation type (ReRAM) and the functional circuit is to be related to the OTFT circuit application direction.(Spiking neural network; SNN) Circuit implementation and review.ReRAM metal acid and metal buildup. External Current Internal Current Circuit of Metal Acid-Based Material: Resistance to Change in Value of Element: Low Temperature Physical Circuit of Soft Substrate: Accumulation of Properties of ReRAM: Production of OTFT: Production of ReRAM In this paper, we try to make the material of OTFT and its preparation. In the test, the proposal ReRAM has multiple values, memory elements may be saved, action may be confirmed, SNN loop may be formed, memory elements may be used, production options may be added, and production options may be introduced. The SNN loop is proposed to be composed of OTFT materials and processes, and the SNN loop is proposed to be composed of OTFT production processes. In the loop, the MNIST data is processed, and the inference accuracy is verified.

项目成果

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Layout-dependent vertical and in-plane leakage current reduction of organic thin-film transistors by layer contact restriction
通过层接触限制减少有机薄膜晶体管的布局相关垂直和面内漏电流
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kunihiro Oshima;Kazunori Kuribara;and Takashi Sato
  • 通讯作者:
    and Takashi Sato
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    0
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  • 通讯作者:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
    佐藤 高史

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