時間分解電子ラマン散乱による閉じ込められた励起子の研究

时间分辨电子拉曼散射研究受限激子

• 批准号: 08740236
• 负责人: 齋藤 伸吾
• 金额: $ 0.7万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08740236/
• 关键词: ラマン散乱; ヨウ化鉛; 量子化されたフォノン; 量子化された励起子; SiGe混晶; ゾーンメルティング法; MBE法

申請者は東北大学理学研究科に在学中に見出したPbI_2平板状微粒子中に閉じ込められたフォノンをもとにして,量子化された励起子の最低エネルギー状態について研究してきた.本研究では,高次の閉じ込め準位にある励起子を探ることを目的とした.時間分解測定の予備的実験として,液体ヘリウム温度での励起子準位に共鳴したラマン散乱を測定し,フォノンによるシグナルの他に60cm^<-1>付近にこれまでのバルクでは見られていない構造が観測された.この構造が量子化された励起子による散乱信号かを確かめるために,電荷によるラマン散乱の研究で標準的に用いられている励起強度依存性の測定を手始めに試みた.この実験はアルゴンレーザーを励起光源として強励起を室温で行った.しかし,試料が強励起によって変質してしまい,これ以上の測定は出来なかった.そのため,液体ヘリウム温度または窒素温度程度の実験を行うべく準備を進めている.一方,SiGe混晶による電子ラマン散乱の研究は数々の結果が得られている.東京理科大学の高野教授のグループによってゾーンメルティング法で作られたバルク混晶及び東京大学先端領域研究センターの宇佐見博士によってMBE法によってGe基板上に作成されたエピ膜を用いて強励起下での電子ラマン散乱の測定を行った.それぞれの試料において,組成の変化によるバンド変調,基板との格子定数のミスマッチによるバンド変調に対応して電子ラマン散乱光のピークエネルギーがシフトすることを見出した.バンド変調が光励起電荷の緩和に及ぼす影響を調べる為の基礎的データが得られつつあり,今後の測定に期待が持てる.

The applicant has been studying the minimum life state of PbI_2 plate-like particles in the Graduate School of Science, Tohoku University. This study is aimed at improving the quality of the products. Time resolution measurement of the preparation of the implementation, liquid temperature, excitation level, resonance, scattering, measurement of the liquid temperature, excitation level, other 60 cm, close to the surface of the liquid structure<-1>. The structure of this kind of quantization is very important for the measurement of excitation intensity dependence. The light source is excited and the room temperature is excited. The test sample is strongly excited, and the above determination is carried out. The temperature of the liquid is different from the temperature of the liquid. The results of electron scattering in SiGe mixed crystals are obtained. Professor Takano of Tokyo University of Science and Professor Usami of the University of Tokyo's Advanced Field Research Center used the MBE method to measure the electronic scattering caused by strong excitation on a thin film prepared on a Ge substrate. All the samples in the sample, the composition of the change, the substrate and the lattice number of the change, the electron scattering light, the change, the change, The basic parameters for adjusting the relaxation and influence of photoexcitation charge are obtained and expected to be maintained in the future.