2次元有機超伝導体における超伝導局在

二维有机超导体中的超导局域化

基本信息

批准号：
08740276
负责人：
伊東裕
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

BEDT-TTF系有機超伝導体では最高の超伝導転移温度を持つが30MPa以上の圧力下でのみ抵抗ゼロの完全な超伝導転移を示すκ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Clの圧力下における電導面内及び電導面間方向の電気抵抗を測定した。その結果、完全超伝導転移の臨界圧力30MPaで転移点直上の面抵抗(電導層の単位面積当たりの抵抗値)が臨界値6.5kΩに向かって数桁に及び急激に減少すること、また電導面間方向の電気抵抗は19MPa以下では超伝導転移による減少が見られなくなることを見出した。このことはこの物質で2次元的な超伝導が実現されており、面抵抗の値に依存する量子ゆらぎ効果により、臨界圧力より低圧側では超伝導転移に伴い形成されたク-パ-対が局在した超伝導局在状態にあることを示している。電導面間方向に超伝導転移が見られなくなることは、電導面間の超伝導結合がジョセフソン結合に因っており、そのような結合は超伝導が局在している状態では形成されにくくなるとして説明できる。また臨界圧力近傍の33MPaでの磁場下測定により、磁場によって絶縁相の誘起が見出され、磁束密度の変化による超伝導局在の増強現象を観測した。一方、類似物質で超伝導安定化の臨界圧力が低いκ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Brの重水素置換体についても圧力下の電気抵抗を測定し、完全超伝導転移の臨界圧力9MPaで面抵抗の値が大きく減少することを見出し、常圧近では超伝導局在状態にあることを明らかにした。また新しい有機導体(DTEDT)_3 SbF_6について0.2K以下で不完全な超伝導転移を観測し、面抵抗の値から同様の超伝導局在現象が生じていることを明らかにした。

在κ-（BEDT-TTF）_2CU [N（CN）_2] Cl的压力下，传导平面和传导平面的方向的电阻，其超导性过渡温度最高，但仅在30 MPA或更高的压力下显示出完全的超导性过渡，其零电阻仅在零电阻下进行测量。结果，发现在临界压力为30 MPa的临界压力下，表面电阻（导电层的每单位区域的电阻）（每单位区域的电阻）突然降低至临界值为6.5kΩ的几个数量级，并且由于在19 MPA或SPA下的超时过渡而不再降低导电表面方向的电阻。这表明使用该材料实现了二维超导性，并且由于取决于表面电阻的值的量子波动效应，由于超导性转变而形成的抽筋对在临界压力下方压力侧的超导率局部化状态。无法在导电表面之间的方向上看到超导的转变，这可以解释为导电表面之间的超导键是由约瑟夫森键引起的，并且在定位超导性的状态下，这种键很难形成。此外，通过磁场在临界压力附近测量33MPA，发现了绝缘阶段的诱导，并且观察到由于磁通量密度变化而增强超导性定位的现象。另一方面，测量压力下的电阻，用于氘代替κ-（bedt-ttf）_2cu [n（cn）_2] br，该_2cu [n（cn）_2] br的临界压力较低，超导性稳定性的临界压力较低，表面阻力在9MPA的临界压力下大大降低了，在近距离降低了临近，这是在完美的超级延误中，这是一个完美的超级延误，这是一个超出的超级压力，即在超高的范围内，这是一个超出的超级压力，即在超高的范围内，这是一定的，即在超高的范围内，这是一个超出的压力。大气压力。此外，在0.2K或更少的情况下，新的有机导体（DTETT）_3 SBF_6观察到不完全的超导转变，并且发现相同的超导定位现象来自表面电阻值。