新規πd系DMET塩における金属絶縁体転移と物性開拓

新型 πd 基 DMET 盐的金属-绝缘体转变和物理性质的发展

• 批准号: 18028012
• 负责人: 伊東 裕
• 金额: $ 2.43万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18028012/
• 关键词: 分子性導体; π-d相互作用; 金属絶縁体転移; 異方的伝導; ラマン分光; 有機超伝導体; 一軸性圧縮; ハバードモデル; フェルミ面; πd相互作用; 異方的電気伝導; 超伝導転移

局在d電子スピンをもつ陰イオンをドナー分子と組み合わせたπ-d系有機伝導体は、電荷とスピンの相乗効果によって生まれる伝導と磁性の新しい機能性の舞台として注目を集めている。(DMET)_4MC1_4(TCE)_2は、M=Mn, Co, ZnでそれぞれT_MI=25K, 15K, 13KでSDW転移に基づく金属絶縁体転移を示す擬1次元伝導体である。一方、M=Cuではas-grown試料の結晶表面に電極をつけ伝導面内の伝導を測定すると半導体的挙動が現れるが、伝導面間方向は他のM=Mn, Co, Znと同様にT_MI=5-20Kまで金属的な振舞いを示す。このような特異な異方的伝導の原因を探るため、結晶表面のラマン分光測定を行った。その結果、表面のみに価数の高いDMET分子が存在することを示唆する結果を得た。結晶を割って新鮮な面の伝導面内方向の測定を行うと半導体的挙動は消失し、他の塩と同じような金属絶縁体転移が現れるため、結晶表面の半導体的挙動は価数の高いDMET分子の存在に起因していることがわかった。またκ型BEDT-TTF塩に次ぐ高い超伝導転移温度T_cをもっ有機超伝導体β-(BDA-TTP)_2SbF_6について、超伝導相図と電子状態について明らかにするためT_cの一軸性圧縮依存性を調べた。その結果、伝導面内のドナー積層方向の圧縮ではT_cが上昇し、それと垂直方向への圧縮ではT_cが低下することを見出した。この結果は各方向への圧縮による移動積分の変化を取り入れた異方的三角格子ハバードモデルの計算と一致した。また面間方向への圧縮では低圧領域でT_cが0.5K程度上昇することを見出した。これはトリメチレン基を介した面間方向への相互作用の重要性を示している。

In the case of the d electron, the molecular structure is composed of π-d organic conductors, charge and phase, and the magnetic properties are concentrated in the stage. (DMET)_4MC_1_4 (TCE)_2 =Mn, Co, Zn = T_MI=25K, 15 K, 13 K, SDW =25K, 15K, 15K, 13K, SDW =25K, 15K, 13K, SDW = 25 K, 15 K, 13K, 15 K, 13 For example, M=Mn, Co, Zn and other metals, T_MI=5-20K, are used to measure the conductivity in the conduction plane of the semiconductor on the crystal surface of the as-grown sample. We will explore the causes of this unique phenomenon and conduct spectroscopic measurements of the crystal surface. As a result, the number of high DMET molecules on the surface of the cell was determined. Determination of the direction of the crystal surface and the conduction surface of the semiconductor, the movement of the semiconductor, the occurrence of the metal insulation, the movement of the semiconductor on the crystal surface, and the existence of the DMET molecule The transition temperature T_c of β-(BDA-TTP)_2SbF_6, β-(BDA As a result, T_c rises and T_c falls in the direction of vertical compression in the conductive plane. The result is that the transformation of the integral in each direction is consistent with the calculation of the triangular lattice in different directions. The pressure between the two planes decreases, and the T_c in the low pressure field increases by 0.5K. The importance of the interaction between the two planes is shown in this paper.

项目成果

有機超伝導体β-(BDA-TTP)_2X(X=SbF_6,AsF_6)の一軸性圧縮効果

有机超导体β-(BDA-TTP)_2X(X=SbF_6,AsF_6)的单轴压缩效应

• 发表时间: 2008
• 作者: H.Ito;S.Kuroda;S.Uji;M.Umemiya;M.Yamashita 他6名;石原 哲夫
• 通讯作者: 石原 哲夫

(DMET)_4CuCI_4(TCE)_2表面の半導体的電気伝導

(DMET)_4CuCI_4(TCE)_2表面半导体导电

• 发表时间: 2007
• 作者: H.Ito;S.Kuroda;S.Uji;M.Umemiya;M.Yamashita 他6名;石原 哲夫;伊東 裕
• 通讯作者: 伊東 裕

最新 導電性高分子 全集 第4章第1節

最新导电聚合物全集第4章第1节

• 发表时间: 2007
• 作者: 伊東 裕;黒田新一
• 通讯作者: 黒田新一

Molecular-fastener effects on transport property of TTCn-TTF field-effect transistors

分子紧固件对 TTCn-TTF 场效应晶体管输运特性的影响

• 发表时间: 2006
• 期刊: Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 284-285
• 作者: S. Ukai;S. Igarashi;M. Nakajima;K. Marumoto;H. Ito;S. Kuroda;K. Nishimura;Y. Enomoto;G. Saito
• 通讯作者: G. Saito

Dynamical valence fluctuation at the charge-density-wave phase boundary in iodide-bridged Pt compound [Pt (chxn)_2I] I_2

碘化物桥接 Pt 化合物 [Pt (chxn)_2I] I_2 电荷密度波相界处的动态价态波动

• 发表时间: 2006
• 期刊: J. Am. Chem. Soc. 128, (2006) 6420-6425 128
• 作者: S.TaKaiShi;H.Tanaka;S.Kuroda 他
• 通讯作者: S.Kuroda 他