Microscopic study of quantum phase transition on atomic-layer superconductors

本研究では、二次元超伝導体の磁場・乱れ誘起量子相転移の微視的観察のために、金属表面原子層超伝導体の超伝導特性をヘリウム3冷却超高真空走査トンネル顕微鏡（STM）測定により評価して、マクロ測定である表面電気伝導測定の結果との対応付けを行った。この系は、表面に形成されるステップが超伝導に対して乱れとして作用するので、基板の切り出し角を変えることで、ステップ密度すなわち乱れを系統的に制御できる。STM測定では測定温度0.36 Kにおいて、磁場を変えながら超伝導ギャップの空間分布図を取得して、渦糸分布やギャップ構造の磁場依存性について評価して、表面電気伝導測定との比較を行った。二次元超伝導体において、磁場誘起超伝導絶縁体転移間でしばしば観測される異常金属相が本研究の電気伝導測定でも観測された。異常金属相は量子ゆらぎによる渦糸の運動に起因すると考えられているがその詳細な起源は明らかになっていない。異常金属相におけるSTM観察では、個々の渦糸が観測された。今回の研究から、異常金属相は、平衡位置に弱く留まる渦糸が、無限小の印加電流によって渦糸の運動が誘起されたものと考えている。さらに、異常金属状態が現れる磁場より高磁場で、融解相や擬ギャップ状態を観測し、ステップ密度の違いによって、その振る舞いが大きく異なることを明らかにした。同時に、ヘリウム3冷却STM において、STM測定と電気伝導測定を同一装置・試料で行うために、必要となる試料ホルダー・装置の改良について業者とやり取りを行った。現在、納品を終えて、装置の改良を始める段階に至っている。改良後の装置では、同一試料に対して電気伝導測定・STM測定を行うことが可能になる他、面内電流を流しながらSTM測定を行うことも可能であるため、異常金属相と無限小印加電流の関係について評価するためにも重要であると考えている。

本研究では、二次元超伝導体の磁場・乱れ誘起量子相転移の微視的観察のために、金属表面原子層超伝導体の超伝導特性をヘリウム3冷却超高真空走査トンネル顕微鏡（STM）測定により評価して、マクロ測定である表面電気伝導測定の結果との対応付けを行った。この系は、表面に形成されるステップが超伝導に対して乱れとして作用するので、基板の切り出し角を変えることで、ステップ密度すなわち乱れを系統的に制御できる。STM測定では測定温度0.36 Kにおいて、磁場を変えながら超伝導ギャップの空間分布図を取得して、渦糸分布やギャップ構造の磁場依存性について評価して、表面電気伝導測定との比較を行った。二次元超伝導体において、磁場誘起超伝導絶縁体転移間でしばしば観測される異常金属相が本研究の電気伝導測定でも観測された。異常金属相は量子ゆらぎによる渦糸の運動に起因すると考えられているがその詳細な起源は明らかになっていない。異常金属相におけるSTM観察では、個々の渦糸が観測された。今回の研究から、異常金属相は、平衡位置に弱く留まる渦糸が、無限小の印加電流によって渦糸の運動が誘起されたものと考えている。さらに、異常金属状態が現れる磁場より高磁場で、融解相や擬ギャップ状態を観測し、ステップ密度の違いによって、その振る舞いが大きく異なることを明らかにした。同時に、ヘリウム3冷却STM において、STM測定と電気伝導測定を同一装置・試料で行うために、必要となる試料ホルダー・装置の改良について業者とやり取りを行った。現在、納品を終えて、装置の改良を始める段階に至っている。改良後の装置では、同一試料に対して電気伝導測定・STM測定を行うことが可能になる他、面内電流を流しながらSTM測定を行うことも可能であるため、異常金属相と無限小印加電流の関係について評価するためにも重要であると考えている。